您的位置： 专家智库 > >

刘文平

作品数：1 被引量：3H指数：1
供职机构：西安微电子技术研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇单粒子
  • 1篇单粒子翻转
  • 1篇SRAM

机构

  • 1篇西安微电子技...

作者

  • 1篇刘文平
  • 1篇姚思远

传媒

  • 1篇现代电子技术

年份

  • 1篇2015
共 1 条 记 录，以下是 1-1
全选 清除 导出
排序方式：
一种双栅结构抗单粒子翻转加固SRAM存储单元被引量：3
2015年
通过对单粒子效应以及抗单粒子翻转电路加固原理进行分析,提出一种基于双栅MOS结构的具有单粒子翻转加固能力的SRAM存储单元。该单元在实现抗单粒子翻转加固的同时具有快速翻转恢复、快速写入、低静态功耗的特点。基于0.18μm CMOS工艺进行电路仿真,结果显示该加固单元读/写功能正确,翻转阈值大于100 Me V·cm2/mg。可以预测,该电路应用于空间辐射环境下将有较好的稳定性。
姚思远刘文平
关键词：单粒子翻转
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0