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徐千山

作品数：3 被引量：1H指数：1
供职机构：武汉科技大学理学院应用物理系更多>>
发文基金：湖北省教育厅科学技术研究项目更多>>
相关领域：理学一般工业技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 3篇ZNS薄膜
  • 2篇硫化
  • 2篇溅射
  • 1篇退火
  • 1篇气相沉积
  • 1篇气相法制备
  • 1篇硫化法
  • 1篇和光
  • 1篇半导体
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控溅射
  • 1篇ZNS

机构

  • 3篇武汉科技大学

作者

  • 3篇张仁刚
  • 3篇卓雯
  • 3篇陈克亮
  • 3篇徐千山
  • 1篇王登京
  • 1篇彭顺金
  • 1篇王玉华

传媒

  • 1篇化工时刊
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇电子元件与材...

年份

  • 3篇2013
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
气相法制备ZnS薄膜材料研究进展
2013年
综述了近几年ZnS薄膜材料的气相沉积制备方法及其应用,主要讨论了真空蒸发、磁控溅射、脉冲激光沉积、分子束外延、金属有机物化学气相沉积、原子层沉积等制备方法的最新研究进展,指出了ZnS薄膜的各种气相沉积方法的优点和不足以及今后的发展趋势。
张仁刚卓雯陈克亮徐千山
关键词：ZNS薄膜气相沉积
硫化法制备ZnS薄膜的结构和光学性能研究
2013年
采用直流反应磁控溅射法，在玻璃衬底上沉积了ZnO薄膜，然后在H2S气氛和500℃温度下退火制备了六方ZnS薄膜。利用X射线衍射仪（XRD）、UV-VIS分光光度计、扫描电子显微镜（sEM）对样品进行了表征。结果表明：ZnO经0．5h硫化就能全部生成ZnS，适当提高硫化时间可改善ZnS的结晶性，但硫化时间超过2h后，结晶性会有所降低；所有制得ZnS薄膜都沿c轴择优生长，其晶粒明显比ZnO更大。此外，这些ZnS薄膜在500～1100am波长范围内的光透过率均高达约75％，带隙为3．65～3．70eV。
张仁刚卓雯王登京陈克亮徐千山
关键词：半导体ZNS薄膜磁控溅射硫化
退火对硫化方法制备ZnS薄膜特性的影响被引量：1
2013年
以反应磁控溅射方法沉积ZnO薄膜,然后在空气和H2S气氛中退火制备了六方相ZnS薄膜。用X射线衍射仪(XRD)、紫外-可见透射光谱和扫描电子显微镜(SEM)对薄膜进行表征。提高空气退火温度能够改善ZnS薄膜结晶性,而空气退火温度超过500℃则会降低ZnS薄膜结晶性。另外,当硫化退火温度低于400℃时,ZnO只能部分转变为ZnS,只有硫化温度等于或大于400℃时,ZnO才能全部转变为ZnS。硫化前后薄膜晶粒尺寸有显著变化。所得ZnS薄膜在可见光范围的透过率约为80%,带隙为3.61～3.70 eV。
张仁刚卓雯王玉华彭顺金陈克亮徐千山
关键词：ZNS薄膜溅射硫化
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共1页<1>
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