杜国平
- 作品数：3 被引量：4H指数：1
- 供职机构：南京电子器件研究所更多>>
- 发文基金：江苏省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 横向接触式RF MEMS开关被引量：1
- 2010年
- 提出了一种横向接触式RF MEMS开关,采用金属叉指结构进行驱动。通过结构建模和性能仿真,对叉指结构进行了优化,提高了机械性能,减小开关的尺寸。通过加大横向接触面积,降低接触电阻,减小开关导通态的插损,提高了开关的射频性能。利用低温表面牺牲层工艺在砷化镓衬底上进行了开关的流片,通过工艺的改进最终得到满意的流片结果。测试结果表明:在DC-20GHz频率范围内,开关的插入损耗小于0.3dB,隔离度大于20dB。
- 杜国平朱健郁元卫侯智昊
- 关键词：射频微机电系统开关
- 硅膜RFMEMS开关被引量：2
- 2017年
- 利用静电驱动原理设计了一种新颖的射频硅膜RF MEMS开关,其开关的优点在于:巧妙的运用CPW传输线的地线作为下电极,加大了开关驱动面积,减小了驱动电压;利用硅膜作为结构层,利用硅本身优良的机械特性可提高开关的可靠性;具有静电接触式开关低频隔离度的优点。通过流片得到了满意的开关样品,测试结果表明:在DC-6 GHz频率范围内,开关的插入损耗小于0.5 dB,隔离度大于30 dB。
- 杜国平朱健郁元卫姜理利
- 关键词：开关硅膜
- MEMS滤波器装配过程中硅通孔接地失效分析被引量：1
- 2020年
- 研究了交指型MEMS滤波器硅通孔在装配使用中的接地失效。针对滤波器硅通孔接地失效的两种主要失效模式,分析了失效原因,建立了导电胶填充硅通孔装配过程的有限元分析模型并进行了仿真,发现导电胶填充高度接近硅通孔上边沿时,通孔受到的热应力最大,热应变最严重。通过装配后产品的温度应力试验,验证了仿真结果。给出了加强硅通孔金属化前清洗工艺的质量控制要求,提出了MEMS滤波器装配过程中导电胶填孔高度不得超过1/2的装配建议。
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- 关键词：可靠性
