公共文化服务平台

共 1 条记录，以下是 1-1

全选清除导出

排序方式：

铬掺杂的PSN-PZN-PZT四元系压电陶瓷材料的研究被引量：5: 2007年; 用传统固相合成方法制备了Pb(Sn1/3Nb2/3)O3-Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-PbZrO3-PbTiO3(简写为PSN-PZN-PZT)四元系压电陶瓷材料,主要研究Cr离子掺杂对此材料的微观结构以及压电、介电性能的影响.通过对XRD衍射谱图分析可知,随着Cr的掺杂量的增大,该系统材料的三方相的含量减少,准同相界的位置向三方相移动;SEM照片显示,晶粒尺寸随Cr的量增大而增大,在0.5wt%含量时晶粒分布均匀且大小较为一致;ERP结果表明,Cr2O3在材料中主要以Cr3+、Cr5+存在.且结合材料的性能参数分析,增加Cr的含量会促使Cr离子由高价向低价转化.当Cr2O3的掺杂量为0.5wt%时,PSN-PZN-PZT材料的综合性能较好.; 孙清池王立锋聂强; 关键词：压电陶瓷 CR掺杂压电介电性能

全选清除导出

共1页<1>

王立锋