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王雪雯

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：昆明理工大学更多>>
发文基金：云南省自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 1篇态密度
  • 1篇界面态
  • 1篇界面态密度
  • 1篇晶格
  • 1篇晶格失配
  • 1篇过渡层
  • 1篇SI
  • 1篇GAAS

机构

  • 1篇昆明理工大学

作者

  • 1篇谭红琳
  • 1篇王雪雯

传媒

  • 1篇功能材料

年份

  • 1篇2004
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
GaAs与Si之间过渡层的设计及其分析
2004年
从理论上计算出GaAs/Si异质结在Si的(211)面上界面态密度最小,故GaAs在Si(211)面上生长晶格失配度较小.同时,为了缓解晶格失配,我们采用生长一层GaAs多晶层或Te过渡层得到较好的结果.
谭红琳王雪雯
关键词：晶格失配界面态密度过渡层
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共1页<1>
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