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胡勋

作品数：1 被引量：5H指数：1
供职机构：西安理工大学更多>>
发文基金：陕西省工业科技攻关项目更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇数学模型
  • 1篇驱动电路
  • 1篇门极
  • 1篇门极驱动
  • 1篇门极驱动电路
  • 1篇晶体管
  • 1篇功耗
  • 1篇IGBT器件

机构

  • 1篇西安理工大学

作者

  • 1篇同向前
  • 1篇宁大龙
  • 1篇胡勋

传媒

  • 1篇电力电子技术

年份

  • 1篇2012
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
IGBT器件的门极驱动模型及应用被引量：5
2012年
针对IGBT器件驱动电路损耗计算及驱动电源设计,分析了IGBT器件门极控制机理,建立了器件驱动电路在开关过程的等效电路,推导了门极电压和电流的解析式,给出了驱动功耗的计算方法。仿真和实验结果表明,建立的开关模型能够精确描述IGBT在开关过程中的电压电流变化,基于此模型的驱动电路功耗计算结果可作为驱动电源设计或选型的依据。
宁大龙同向前胡勋
关键词：晶体管门极驱动电路数学模型
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