邓世杰
- 作品数：11 被引量：11H指数：3
- 供职机构：西南技术物理研究所更多>>
- 发文基金：四川省科技计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 一种盖革模式三维激光成像焦平面阵列探测器成像性能测试系统
- 本发明属于光电探测技术领域，具体涉及一种盖革模式三维激光成像焦平面阵列探测器成像性能测试系统。该系统采用窄脉冲半导体激光器光源，相比于外场成像试验用的大功率固体激光器，其体积小，功率低，成本低，输出光功率可调，是实现目标...
- 孔繁林柯尊贵周小燕钱煜袁鎏郝昕邓世杰梁晨宇袁菲黄海华路小龙
- 一种近红外增强型硅基雪崩光电二极管制备方法
- 本发明公开了一种近红外增强型硅基雪崩光电二极管制备方法，选用P型高阻单晶硅衬底，高温推结形成隔离环与活性区；高温推结后形成主结区；完成正面钝化层与正面金属电极区制备；通过湿法电化学腐蚀在所述衬底背面形成具有倒金字塔阵列形...
- 王江王鸥刘永罗国凌郑博仁杨瑞雨谭杨郝昕代千柯尊贵邓世杰邓杰姚梦麒陈生琼李喆
- 带方差补偿的多向仿射变换点云配准算法被引量：3
- 2019年
- 结合点云统计学特性和形状特征,提出了带方差补偿的多向仿射变换点云配准算法,将求解放缩因子问题转化为求解带方差的超定非线性方程组,并通过二次曲面拟合对噪声方差进行最小二乘无偏估计。引入点云全局向量特征相似度,以相似度最大化求真解。将多向仿射变换点云配准转化为刚性配准,并利用主方向法配准点云。仿真结果表明,针对点云随机丢失和带噪声的点云配准情况,所提算法比现有配准算法的配准精度更高,并且配准耗时更短。
- 王畅舒勤杨赟秀邓世杰
- 关键词：点云配准NEWTON迭代法最小二乘法二次曲面
- 基于InGaAs盖革模式APD探测器的主动淬灭电路设计被引量：3
- 2019年
- 盖革模式(GM)雪崩光电二极管(APD)探测器具有单光子级探测灵敏度,可广泛用于三维成像和测量测绘等领域。针对InGaAs基GM-APD,提出一种用于自由模式探测的主动淬灭电路。该电路采用电容积分方式将雪崩电流转换为电压信号,利用反相器对其进行检测与提取,同时经淬灭支路将雪崩快速淬灭,一定延时后恢复支路使APD重新进入盖革状态;采用施密特触发器以增强淬灭支路的抗干扰能力,防止盖革恢复过程中导致淬灭控制信号的振荡;利用RC延迟电路实现探测器死时间可调。基于SMIC 0.18μm标准CMOS工艺对设计的主动淬灭电路进行了流片,电路芯片与GM-APD互连测试结果表明,该电路可实现对GM-APD的快速淬灭与恢复,淬灭时间约为887 ps,恢复时间约为325 ps,最小死时间约为29.8 ns,满足多回波探测应用要求。
- 杨赟秀袁菲路小龙景立邓世杰呙长冬宋海智张伟
- 关键词：INGAAS单光子
- 公共极进光半导体光电二极管阵列芯片测试用工装夹具
- 本发明公开了一种公共极进光半导体光电二极管阵列芯片测试用工装夹具，包括：水平底座、积分球、方形固定架、玻璃板；方形固定架设置在水平底座上，方形固定架内部放置积分球；方形固定架顶部开宽槽，宽槽内中心开圆孔，圆孔与积分球出光...
- 孔繁林柯尊贵李龙邓世杰袁菲
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- 一种背光半导体光电类芯片
- 本实用新型属于半导体光电类芯领域，具体涉及一种背光半导体光电类芯片，所述背光半导体光电类芯片包括垫片、芯片、背电极、导电银胶和引线；垫片中心处设有通孔；在通孔侧壁以及垫片一侧上下两面设有导通的金层作为引线框架；芯片通过树...
- 黄海华陈剑路小龙刘期斌张伟姚超向秋澄孔繁林寇先果呙长冬邓世杰袁菲
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- 一种背光半导体光电类芯片及其互连方法
- 本发明属于半导体光电类芯领域，具体涉及一种背光半导体光电类芯片及其互连方法，所述背光半导体光电类芯片包括垫片、芯片、背电极、导电银胶和引线；垫片中心处设有通孔；在通孔侧壁以及垫片一侧上下两面设有导通的金层作为引线框架；芯...
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- 一种盖革模式三维激光成像焦平面阵列探测器成像性能测试系统
- 本发明属于光电探测技术领域，具体涉及一种盖革模式三维激光成像焦平面阵列探测器成像性能测试系统。该系统采用窄脉冲半导体激光器光源，相比于外场成像试验用的大功率固体激光器，其体积小，功率低，成本低，输出光功率可调，是实现目标...
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- 一种高增益、大带宽跨阻放大器的设计被引量：4
- 2017年
- 作为激光近炸引信中探测与目标识别核心元件的光电探测器,其性能取决于光电二极管和相应的放大电路。针对引信、制导应用对光电探测器的要求,提出一种新型高增益、大带宽跨阻放大器设计。该跨阻放大器由两级放大电路构成,第1级由两个对称的RGC(Regulated Cascode)结构组成,消除光电二极管漏电流对直流工作点影响,隔离光电二极管寄生电容提升工作带宽;第2级放大电路由3个级联的反相放大器构成,是跨阻放大器的主要增益级;最后以射级跟随器输出,为后续系统提供足够的电压摆幅。该电路基于SMIC 0.35μm标准CMOS工艺设计,仿真结果表明:跨阻增益为110.2 dBΩ,带宽为46.7 MHz,40 MHz处的等效输入噪声电流低至1.09 pA/(Hz)^(1/2),带宽内等效输出噪声电压为5.37 mV。测试结果表明,跨阻放大器增益约为109.3 d BΩ,输出电压信号上升时间约为7.8 ns,等效输出噪声电压大小为6.03 mV,功耗约为10 mW,对应芯片面积为1 560μm×810μm。
- 杨赟秀袁菲明鑫邓世杰路小龙景立呙长冬
- 关键词：跨阻放大器高增益RGC反相放大器
- 一种PIN光电二极管及提高PIN光电二极管响应度的方法
- 本发明属于光电二极管领域，具体涉及一种提高PIN光电二极管响应度的方法，通过在PIN光电二极管底部粘接加热元件以提高PIN光电二极管的温度，进而提高PIN光电二极管响应度。同时涉及一种PIN光电二极管，所述PIN光电二极...
- 黄海华王鸥寇先果张伟刘期斌姚超向秋澄孔繁林路小龙呙长冬邓世杰袁菲
- 文献传递
