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陈胜利

作品数:2 被引量:0H指数:0
供职机构:大连理工大学机械工程学院微纳米技术及系统辽宁省重点实验室更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇金属学及工艺

主题

  • 2篇UV-LIG...
  • 1篇电化学
  • 1篇电化学刻蚀
  • 1篇电铸
  • 1篇掩膜
  • 1篇酸洗
  • 1篇微电铸
  • 1篇微开关
  • 1篇金属
  • 1篇金属表面
  • 1篇开关
  • 1篇刻蚀
  • 1篇惯性开关
  • 1篇高深宽比

机构

  • 2篇大连理工大学
  • 1篇沈阳理工大学

作者

  • 2篇杜立群
  • 2篇陈胜利
  • 1篇赵明
  • 1篇刘双杰
  • 1篇罗磊
  • 1篇杨彤

传媒

  • 2篇电加工与模具

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2015
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
跨尺度、高深宽比惯性微开关制作工艺研究
2016年
采用基于光刻和微电铸的多层UV-LIGA工艺在金属基底上制作了惯性微开关。研究了电铸面积对胶层内应力的影响,解决了胶层从基底脱落的问题。通过实验分析了电流密度对铸层层间结合力的影响,解决了铸层分层问题。通过煮沸无机酸的方式去除高深宽比金属微结构内的光刻胶,解决了SU-8胶去胶难的问题。最终,成功制作出外形尺寸为14 mm×11 mm×0.6 mm的跨尺度、高深宽比惯性微开关,其最小线宽为29.8μm,最大深宽比为17∶1,从而克服了目前制作惯性微开关时基底易碎、需溅射导电种子层、整体尺寸小、深宽比低的局限性。
杜立群陈胜利陶友胜罗磊赵明刘双杰
关键词:惯性开关微电铸UV-LIGA
金属表面微坑阵列掩膜电化学刻蚀技术研究
2015年
采用负胶光刻工艺制备了微坑阵列胶模,通过实验分析了抛光工艺对刻蚀均匀性的影响,解决了微坑阵列刻蚀缺陷的问题。研究了酸洗对基板刻蚀的影响,得出酸洗可改善刻蚀均匀性的结论,并通过调节溶液p H值的方法解决了溶液沉淀的问题。分析了掩膜孔径对刻蚀均匀性的影响,并利用自行搭建的电化学刻蚀装置完成了直径60μm、深11μm的微坑阵列刻蚀。实验结果验证了掩膜电化学刻蚀工艺的可行性,为金属表面微小图形的制作提供了一种可行的方案。
杜立群位广彬杨彤陈胜利
关键词:UV-LIGA电化学刻蚀酸洗
共1页<1>
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