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徐凯

作品数:11 被引量:18H指数:3
供职机构:解放军电子工程学院更多>>
发文基金:安徽省自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术电子电信理学更多>>

文献类型

  • 11篇中文期刊文章

领域

  • 7篇一般工业技术
  • 3篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 7篇二氧化钒
  • 5篇红外
  • 4篇氧化钒薄膜
  • 4篇溅射
  • 4篇VO
  • 4篇磁控
  • 4篇磁控溅射
  • 3篇直流磁控
  • 3篇直流磁控溅射
  • 3篇相变特性
  • 3篇二氧化钒薄膜
  • 2篇激光
  • 1篇烟幕
  • 1篇氧化法
  • 1篇氧化钒
  • 1篇有限元
  • 1篇有限元分析
  • 1篇杂化
  • 1篇时域
  • 1篇时域特性

机构

  • 8篇解放军电子工...
  • 3篇华中科技大学
  • 2篇电子工程学院

作者

  • 11篇徐凯
  • 9篇凌永顺
  • 8篇路远
  • 7篇乔亚
  • 6篇唐聪
  • 2篇殷松峰
  • 2篇杨星
  • 2篇王一程
  • 1篇孙杜娟
  • 1篇胡以华
  • 1篇杨华
  • 1篇杨玚
  • 1篇王磊

传媒

  • 3篇红外与激光工...
  • 3篇激光与红外
  • 3篇材料科学与工...
  • 1篇光子学报
  • 1篇航天电子对抗

年份

  • 1篇2016
  • 6篇2015
  • 3篇2014
  • 1篇2010
11 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
氧化法热处理温度对氧化钒薄膜热敏特性的影响
2014年
采用直流磁控溅射法制备氧化钒薄膜,并采用不同的温度对其进行氧化法热处理,通过XRD、SEM、四探针薄膜电阻测试,分析了不同热处理温度对氧化钒薄膜的晶相特性与热敏特性的影响。实验分析证明热处理温度升高后(400℃)得到的薄膜热敏特性良好,其室温电阻为160KΩ·cm,室温电阻温度变化系数为-2.4%/℃,变温过程中(20-98℃)其平均值约-1.98%/℃,表明温度升高有利于改善薄膜热敏特性,在非制冷红外探测器应用方面具有发展潜力。
徐凯路远凌永顺乔亚唐聪
关键词:氧化钒氧化法热处理温度
脉冲激光辐照下VO2薄膜温升的有限元分析被引量:5
2015年
为掌握高功率脉冲激光防护中脉冲激光各参量对VO2薄膜温升的具体影响,采用有限元分析程序ANSYS的热分析模块分析了VO2薄膜在脉冲激光辐照下的温度场变化,分析讨论了CO2脉冲激光的光斑尺寸、功率密度、脉冲宽度、重复频率四个参量,对VO2薄膜达到相变温度的时间与相变区域尺寸的影响.结果表明,光斑尺寸等四个参量共同影响薄膜达到相变温度的时间,在一定范围内增大光斑尺寸和功率密度可缩短薄膜相变的时间,而薄膜相变区域尺寸所占光斑面积的比例与二者并无直接关系,增大脉宽或重频都有利于缩短薄膜达到相变的时间,但前者对单脉冲产生热量的提升比后者效果更明显.
徐凯路远凌永顺乔亚
关键词:脉冲激光二氧化钒热传导方程有限元分析
磁控溅射制备VO_2薄膜及其红外相变特性被引量:2
2015年
采用直流磁控溅射法与氧化法热处理相结合的工艺,在Si基底上制备VO2薄膜,通过扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、X射线电子能谱(XPS)、傅里叶变换红外光谱(FTIR)透射率测试,分析了VO2薄膜截面结构、晶相成分、成分价态及红外透射率相变特性。实验分析表明,采用直流磁控溅射与氧化热处理相结合的方法,可获得主要成分为具有明显择优取向单斜金红石结构VO2(011)晶体的氧化钒薄膜,其红外透射率具有明显相变特性,相变中心温度为57.5℃,3~5μm、8~12μm波段的红外透射率对比值达到99.5%,适合应用于红外探测器的激光防护研究。
徐凯路远凌永顺乔亚
关键词:二氧化钒直流磁控溅射
二氧化钒的相变机理研究进展被引量:3
2014年
VO2具有在68℃左右低温半导体态-高温金属态(SMT)可逆相变的特性,在光电开关、光调制和存储方面有广泛的应用前景。本文总结了目前VO2相变理论研究中有代表性的成果。结合一般固态相变分类理论,微观上从VO2的晶胞结构、价带杂化、主宰方式等方面,宏观上从热力学函数等方面,综述了目前对VO2相变类型与机理分析的主流观点,综述结果对今后的研究工作具有一定的指导意义。
徐凯路远凌永顺乔亚唐聪
关键词:VO2晶体结构
红外照射条件下目标和背景的亮度融合
2014年
从目标和背景亮度对比度的角度出发,构建了红外照射条件下目标和背景的亮度融合模型,得出了亮度融合的条件。针对红外探测中不同组合的目标和背景,探究了红外照射条件下亮度融合的适用对象,并进行了仿真验证。结果发现:通过红外照射的方式实现目标与背景亮度融合的方法,适用于与背景相比具有高发射率的亮目标和低发射率的暗目标,特别地,对于温度与背景相等的目标,实现某波段上与背景亮度融合的辐射照度等于温度为T(T=Tt=Tb)的黑体在该波段上的辐射出射度。最后,通过红外照射系统照射不同组合的目标和背景(亮目标和暗目标),一定程度上实现了中红外波段目标和背景的亮度融合,验证了理论的有效性。
唐聪殷松峰凌永顺王一程杨星徐凯
氧化热处理对VO_2薄膜红外光学相变特性的影响被引量:3
2015年
采用直流磁控溅射法在硅基底上制备 VO2薄膜,并对薄膜氧化热处理。分别对热处理前后薄膜进行 X 射线衍射(XRD)、傅里叶变换红外光谱(FTIR)透射率测试,分析了热处理对 VO2薄膜晶相成分与红外透射率相变特性的影响。实验分析表明,经热处理的 VO2发生非晶态向晶态转变,单斜金红石结构 VO2(011)晶体具有明显择优取向,晶粒尺寸均匀度提高,且薄膜的红外透射率具有明显相变特性,相变温度为60.5℃,3-5μm、8-12μm 波段的红外透射率对比值达到99%,适合应用于红外探测器的激光防护研究。
徐凯路远凌永顺乔亚唐聪
关键词:二氧化钒直流磁控溅射红外特性
激光防护中VO_2薄膜的最佳膜厚计算被引量:1
2015年
为实现 VO2薄膜在激光防护应用中的最佳膜厚设计,采用椭圆偏振法测试分别得到 Si基底 VO2薄膜低温半导体态与高温金属态的光学常数,基于具有吸收特性薄膜的透射率计算理论,结合 VO2薄膜用于激光防护的需求,计算得到适用于激光防护的最佳膜厚。为验证计算方法准确性,根据入射激光波长10.6μm 为例计算的最佳膜厚,采用直流磁控溅射法在 Si 基底上制备具有相应膜厚的薄膜,利用傅里叶变换红外光谱测试分析了该薄膜的红外透射率相变特性,结果表明其红外透射率具有明显相变特性,3~5μm 波段的红外透射率对比值达到99%,λ=10.6μm 处相变前后的红外透射率分别为67.2%、4.2%,与理论计算透射率66.4%、3.3%误差较小,实测透射率对比值为93.8%,与理论预期95%基本相符,表明理论计算方法具有一定的准确性,根据最佳膜厚算法设计的 VO2薄膜适合应用于红外探测器的激光防护研究。
徐凯路远凌永顺乔亚唐聪
关键词:二氧化钒薄膜激光防护磁控溅射法
二氧化钒薄膜的制备和应用研究新进展被引量:5
2015年
VO2在68℃左右时发生半导体—金属态的固-固相变,且相变前后光学和电学性能发生突变,该特性使VO2薄膜在红外智能窗、电致光开关器件、激光防护材料、自适应隐身材料等领域受到广泛研究。制备VO2薄膜的方法包括磁控溅射法、脉冲激光沉积法、溶胶-凝胶法、金属热蒸发法等,理想的制备参数是当前研究的重点。本文总结了近年来VO2在制备方法和应用发展上的研究现状,对进一步深入研究VO2薄膜的各项性能及应用具有借鉴意义。
杨玚路远杨华徐凯
关键词:二氧化钒薄膜
一种新的红外烟幕遮蔽效果时域特性评估方法
2010年
提出了基于分形特征和Aitkin插值技术的烟幕遮蔽效果时域特性评价的方法,计算了目标热像区域的分数维和分形拟合误差,采用了Aitkin插值技术来获得烟幕场遮蔽效果的时域特性。
孙杜娟胡以华王磊徐凯
关键词:红外烟幕
氧化热处理对VO_2薄膜特性的影响研究
2015年
采用直流磁控溅射法,结合氧化法热处理在硅基底上制备VO2薄膜,通过SEM、XRD、XPS、FTIR红外透射率等测试,从多角度分析了氧化热处理对VO2薄膜截面结构、晶相成分、成分价态、红外透射率相变特性的影响。实验分析表明,采用直流磁控溅射与氧化热处理相结合的方法,可获得主要成分为具有明显择优取向单斜金红石结构VO2(011)晶体的氧化钒薄膜,氧化热处理有利于VO2晶粒生长并增加薄膜致密性,同时其红外透射率具有明显相变特性,相变温度为60.5℃,3-5μm、8-12μm波段的红外透射率对比值达到99.5%,实现了对红外波段辐射的开关功能,适合应用于红外探测器的激光防护研究,同时可为深入研究对薄膜的氧化热处理提供参考依据。
徐凯路远凌永顺乔亚
关键词:二氧化钒薄膜直流磁控溅射
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