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易守军

作品数:12 被引量:31H指数:4
供职机构:暨南大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金广东省自然科学基金广东省重点科技攻关项目更多>>
相关领域:理学一般工业技术金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 6篇专利

领域

  • 5篇理学
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 10篇长余辉
  • 6篇余辉
  • 6篇发光
  • 4篇紫外
  • 4篇紫外光
  • 4篇紫外光照射
  • 4篇磷光
  • 4篇磷光体
  • 4篇激活剂
  • 4篇长余辉磷光体
  • 3篇长余辉发光
  • 2篇氧化物
  • 2篇色光
  • 2篇镉化合物
  • 2篇化合物
  • 2篇固相法
  • 2篇光色
  • 2篇含镉
  • 2篇高温固相法
  • 2篇

机构

  • 12篇暨南大学

作者

  • 12篇刘应亮
  • 12篇张静娴
  • 12篇易守军
  • 6篇叶泽人
  • 6篇石春山
  • 6篇雷炳富
  • 4篇袁定胜
  • 3篇陈文新
  • 3篇黄浪欢
  • 3篇容建华
  • 1篇王朋

传媒

  • 2篇暨南大学学报...
  • 1篇高等学校化学...
  • 1篇稀土
  • 1篇无机化学学报
  • 1篇中国稀土学报

年份

  • 3篇2005
  • 6篇2004
  • 3篇2003
12 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
锗酸镉中镨的长余辉发光特性被引量:1
2004年
通过高温固相法在空气条件下制得Cd2Ge7O16∶Pr3+长余辉发光材料。测其结构为一单相。分析了Cd2Ge7O16,Cd2Ge7O16∶Pr3+的激发光谱和发射光谱,指出Cd2Ge7O16∶Pr3+的发光是Cd2Ge7O16本身和Pr3+离子发射产生,基质的发光是Cd2Ge7O16中有陷阱能级,电子从导带跃迁到陷阱能级而产生,Pr3+的发光是该离子的4f-4f跃迁产生的;并把该材料的长余辉性质归结为基质结构中有电子陷阱和空穴陷阱,电子陷阱和空穴陷阱分别能储存电子和空穴,从而产生余辉。并提出余辉机理模型。
易守军刘应亮张静娴袁定胜容建华黄浪欢
关键词:发光学长余辉电子陷阱
一种单基多光色长余辉磷光体及其制备方法
一种单基多光色长余辉磷光体,其组成为:CdSiO<Sub>3</Sub>:Re<Sup>3+</Sup>,其中,CdSiO<Sub>3</Sub>为基质,Re<Sup>3+</Sup>是稀土激活离子。按原料1∶1配比称取...
刘应亮雷炳富叶泽人张静娴石春山易守军
文献传递
一种单基发白光的长余辉磷光体及其制备方法
一种单基发白色光的长余辉磷光体,其组成为:CdSiO<Sub>3</Sub>:Dy<Sup>3+</Sup>,其中,CdSiO<Sub>3</Sub>为基质,Dy<Sup>3+</Sup>是激活离子。制备方法:按1∶1配...
刘应亮雷炳富叶泽人张静娴石春山易守军
文献传递
含镉氧化物长余辉发光材料及其制备方法
含镉化合物的长余辉发光材料,它是由镉和其他的氧化物组成的,其组成式为:aM·bM′·cR:Lnx。其中M选自Cd的氧化物;M′选自Si、Ge、Sn、Ti、Zr、Al、Ga、In、B、P中的一种或多种氧化物;R为H<Sub...
刘应亮易守军叶泽人雷炳富石春山张静娴
文献传递
含镉氧化物长余辉发光材料及其制备方法
含镉化合物的长余辉发光材料,它是由镉和其他的氧化物组成的,其组成式为:aM·bM′·cR:Lnx。其中M选自Cd的氧化物;M′选自Si、Ge、Sn、Ti、Zr、Al、Ga、In、B、P中的一种或多种氧化物;R为H<Sub...
刘应亮易守军叶泽人雷炳富石春山张静娴
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高分子网络凝胶法制备AB_5型多元贮氢合金被引量:5
2003年
 以金属的盐类为原料,先利用高分子网络凝胶法制备出金属氧化物前驱体,再将氧化物前驱体与过量的CaH2混合,利用还原扩散反应在900~1000℃下制得多元贮氢合金La0 4Ce0 1Nd0 2Pr0 3Ni3 55Co0 75Mn0.4Al0.3.对生成的材料进行了XRD和SEM分析.结果表明合金的结构与LaNi5类似,为CaCu5类型.颗粒大小在2~3μm左右,分布均匀,呈球状.
张静娴王朋陈文新易守军刘应亮
关键词:AB5型高分子网络凝胶法金相结构
Pb在锗酸镉基质中的长余辉发光特性被引量:2
2004年
通过高温固相反应在空气中制得单相 Cd2 Ge7O1 6 ∶ Pb2 +长余辉发光材料 .分析了 Cd2 Ge7O1 6 和Cd2 Ge7O1 6 ∶ Pb2 +的激发光谱和发射光谱 ,指出 Pb2 +的发光是该离子的 3P1 -1 S0 跃迁产生的 ;分析了Cd2 Ge7O1 6 ∶ Pb2 +的发光存在基质对 Pb2 +的能量传递 ;并把长余辉性质归结为基质中 Cd离子的挥发产生的空穴陷阱 .
易守军刘应亮张静娴袁定胜
关键词:发光长余辉
一种单基发白光的长余辉磷光体及其制备方法
一种单基发白色光的长余辉磷光体,其组成为:CdSiO<Sub>3</Sub>∶Dy<Sup>3+</Sup>,其中,CdSiO<Sub>3</Sub>为基质,Dy<Sup>3+</Sup>是激活离子。制备方法:按1∶1配...
刘应亮雷炳富叶泽人张静娴石春山易守军
文献传递
一种单基多光色长余辉磷光体及其制备方法
一种单基多光色长余辉磷光体,其组成为:CdSiO<Sub>3</Sub>∶Re<Sup>3+</Sup>,其中,CdSiO<Sub>3</Sub>为基质,Re<Sup>3+</Sup>是稀土激活离子。按原料1∶1配比称取...
刘应亮雷炳富叶泽人张静娴石春山易守军
文献传递
Cd_2Ge_7O_(16)中Tb的长余辉发光特性被引量:5
2004年
本文研究了Cd2Ge7O16∶Tb3+材料的发光及其长余辉性质。指出Tb3+的发光是该离子的5D3鄄7FJ、5D4鄄7FJ两种跃迁产生的;随着掺杂浓度的增加5D4鄄7FJ跃迁增强,发光颜色由蓝变绿。并把该材料的长余辉性质归结为基质结构中有电子陷阱和空穴陷阱。提出余辉机理模型。
易守军刘应亮张静娴袁定胜容建华黄浪欢
关键词:长余辉发光机理
共2页<12>
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