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曹建明

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：深圳大学电子科学与技术学院更多>>
发文基金：深圳市基础研究计划项目国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇氧化物半导体
  • 1篇总剂量
  • 1篇总剂量辐射
  • 1篇总剂量效应
  • 1篇金属氧化物半...
  • 1篇金属氧化物半...
  • 1篇晶体管
  • 1篇绝缘体上硅
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体场效应...
  • 1篇FET
  • 1篇场效应
  • 1篇场效应晶体管

机构

  • 1篇深圳大学

作者

  • 1篇贺威
  • 1篇黄思文
  • 1篇曹建明
  • 1篇刘诗尧

传媒

  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2013
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
三栅FET的总剂量辐射效应研究
2013年
通过对赝MOS进行不同剂量的辐射,得到不同辐射条件下赝MOS器件的I-V特性曲线,并通过中带电压法进行分析,得出在不同辐射下SOI材料的埋氧层中产生的陷阱电荷密度和界面态电荷密度参数。采用这些参数并结合Altal三维器件模拟软件模拟了硅鳍(FIN)宽度不同的三栅FET器件的总剂量辐射效应,分析陷阱电荷在埋氧层的积累和鳍宽对器件电学特性的影响。
刘诗尧贺威曹建明黄思文
关键词：绝缘体上硅总剂量效应
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共1页<1>
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