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李健

作品数:2 被引量:1H指数:1
供职机构:吉林市计量测试技术研究所更多>>
相关领域:理学更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学

主题

  • 2篇探测器
  • 2篇紫外光电探测...
  • 2篇光电
  • 2篇光电探测
  • 2篇光电探测器
  • 2篇
  • 2篇
  • 2篇
  • 1篇退火
  • 1篇热退火
  • 1篇肖特基
  • 1篇基型
  • 1篇MSM结构

机构

  • 2篇空军航空大学
  • 2篇吉林市计量测...

作者

  • 2篇赵曼
  • 2篇李健
  • 1篇唐亮
  • 1篇王嘉

传媒

  • 1篇中国计量学院...
  • 1篇长春理工大学...

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2009
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
热退火对氮铝镓MSM结构紫外光电探测器性能的影响被引量:1
2011年
宽带隙半导体合金材料AlxGa1-xN成为紫外光电探测器的优选材料,本文通过金属有机气相外延(MOCVD)的方法在Al2O3衬底上制备出Al0.25Ga0.75N合金薄膜,并通过紫外曝光和湿法腐蚀的方法,制备出平面对称结构的金属-半导体-金属(MSM)叉指电极结构,通过器件在氮气气氛下不同温度的退火,使得器件的响应度得到很大的提高,在1V偏压下达到3.25A/W,同时对器件的其它参数进行了深入的分析。
邢大林赵曼唐亮王嘉李健
关键词:光电探测器热退火
肖特基型氮铝镓紫外光电探测器
2009年
通过采用插入缓冲层的办法,利用金属有机气相外延(MOCVD)得到高质量的AlGaN薄膜,克服了AlGaN薄膜容易产生裂纹的缺点.在此基础上,我们通过采用传统的紫外光刻和湿法刻蚀的方法,制备得到了金属-半导体-金属(MSM)结构的Al0.25Ga0.75N紫外光电探测器.结果表明,在1 V偏压下,器件的暗电流仅为20 pA,如此低的暗电流主要是由于器件中存在一定量的缺陷而导致电阻过大的原因造成的.器件的最高峰值出现在308 nm,大小为0.07 A/W,器件的上升时间为10 ns,下降时间为190 ns.
李健赵曼
关键词:紫外光电探测器肖特基
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