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李宗林

作品数:2 被引量:5H指数:1
供职机构:华中科技大学光学与电子信息学院电子科学与技术系更多>>
发文基金:广东省粤港关键领域重点突破项目国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇多媒体
  • 1篇新型多媒体
  • 1篇硬件
  • 1篇软硬件
  • 1篇软硬件协同
  • 1篇软硬件协同验...
  • 1篇隧穿
  • 1篇隧穿电流
  • 1篇量子
  • 1篇量子隧穿
  • 1篇解码
  • 1篇解码器
  • 1篇金属-氧化物...
  • 1篇反型层
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体器件
  • 1篇薄栅
  • 1篇NMOS器件
  • 1篇AMBA
  • 1篇FPGA验证

机构

  • 2篇华中科技大学
  • 1篇微电子有限公...

作者

  • 2篇李宗林
  • 1篇邹雪城
  • 1篇徐静平
  • 1篇李阳
  • 1篇许胜国
  • 1篇刘政林

传媒

  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇微电子学

年份

  • 1篇2008
  • 1篇2007
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
一种新型多媒体SoC验证平台原理及其实现被引量:5
2007年
提出了一种基于ADSP-BF537的新型多媒体SoC验证平台,以满足多媒体SoC音视频编解码功能模块的实时验证。介绍了整个平台的基本组成,以及BF537与SoC接口的软硬件设计;最后,以验证用于SoC的MP3硬件解码器模块为例,讨论了如何利用BF537,在多媒体SoC的FPGA原型内进行软硬件协同验证。该验证方案已经成功应用在深圳艾科创新微电子有限公司的一款多媒体SoC设计流程中。
李阳刘政林汤加跃邹雪城李宗林
关键词:软硬件协同验证FPGA验证AMBAMP3解码器
一种精确求解超薄栅NMOS器件隧穿电流的模型
2008年
提出了一种精确求解隧穿电流的模型。通过自洽求解一维薛定谔方程和泊松方程,得到NMOS器件的半导体表面电势分布、反型层二维电子气的量子化能级以及对应的载流子浓度分布。为计算隧穿电流,采用了多步势垒逼近方法计算栅氧化物势垒层的隧穿几率,从而避免了WKB方法在突变边界处波函数不连续带来的缺陷。通过考虑(100)Si衬底的导带多能谷效应和栅极多晶硅耗尽效应,讨论了不同栅氧化层厚度下隧穿电流与栅压的依赖关系。模拟结果与实验数据吻合。
李宗林徐静平许胜国
关键词:量子隧穿反型层
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