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退火温度对BNT-BKT-ST薄膜结构和压电性能的影响: 2016年; (Bi_(1/2)Na_(1/2))TiO_3-(Bi_(1/2)K_(1/2))TiO_3-SrTiO_3(BNT-BKT-ST)三元系压电材料体系在斜方相和弛豫赝立方相共存区域具有极高的电致应变特性,因而备受研究者关注.本研究利用溶胶法在Pt衬底上制备了BNT-BKT-ST无铅压电薄膜,研究了退火温度(800℃~1 100℃)对BNT-BKT-ST薄膜结构和压电性能的影响.结果表明:BNT-BKT-ST薄膜均为单一钙钛矿结构,无杂相产生;随着退火温度升高,薄膜表面空隙率降低,晶粒长大,当退火温度达到1100℃时,出现异常长大的条状晶粒;BNT-BKT-ST薄膜的压电性能随退火温度升高逐渐增大,当温度达到1 000℃时,电致应变和局部压电常数达到最大值(S=0.38%,d_(33)=220 pm/V),之后随温度升高有所降低;薄膜的铁电性能也随退火温度升高逐渐增强,当温度达到1 000℃时,剩余极化Pr达到最大值(18μC/cm^2),之后随温度升高剩余极化降低.提高退火温度可以使薄膜晶粒长大,并提高压电性能和铁电性能,但是过高的退火温度可能会生长出异常大的棒状晶粒,从而抑制了薄膜的压电性能和铁电性能.; 朱彦李如月沈圳杨松仪鹏李伟; 关键词：BNT 无铅退火压电

一种具有籽晶层的锆钛酸钡钙薄膜及其制备方法和应用: 本发明属于功能材料与器件领域，具体涉及一种具有籽晶层的锆钛酸钡钙薄膜及其制备方法。所述锆钛酸钡钙薄膜包括基片层、籽晶层和薄膜层，所述籽晶层在所述基片层和薄膜层之间，所述籽晶层和薄膜层的化学通式为Ba<Sub>(1‑x)<...; 李伟朱彦杨松李如月徐志军初瑞清沈圳仪鹏; 文献传递

退火温度对BNT-BKT-ST薄膜结构和压电性能的影响: (Bi1/2Na1/2)TiO3-(Bi1/2K1/2)TiO3-SrTiO3(BNT-BKT-ST)三元系压电材料体系在斜方相和弛豫赝立方相共存区域具有极高的电致应变特性，因而备受研究者关注。本研究利用溶胶法在Pt 衬...; 朱彦李如月沈圳杨松仪鹏李伟; 关键词：BNT 无铅退火压电

一种具有籽晶层的锆钛酸钡钙薄膜及其制备方法和应用: 本发明属于功能材料与器件领域，具体涉及一种具有籽晶层的锆钛酸钡钙薄膜及其制备方法。所述锆钛酸钡钙薄膜包括基片层、籽晶层和薄膜层，所述籽晶层在所述基片层和薄膜层之间，所述籽晶层和薄膜层的化学通式为Ba<Sub>(1‑x)<...; 李伟朱彦杨松李如月徐志军初瑞清沈圳仪鹏

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杨松