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武慧微

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：河南大学物理与电子学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电子迁移率
  • 1篇迁移率
  • 1篇小信号
  • 1篇晶体管
  • 1篇二维电子
  • 1篇二维电子气
  • 1篇高电子迁移率
  • 1篇高电子迁移率...
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体器件
  • 1篇HEMT器件

机构

  • 1篇河南大学

作者

  • 1篇向兵
  • 1篇赵高峰
  • 1篇武慧微

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2011
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
HEMT器件小信号模型研究
2011年
提出一种AlGaAs/GaAs HEMT器件沟道电荷新模型,该模型用一个通用解析函数中系数的不同值来描述二维电子气(2DEG)和AlGaAs层中的电子浓度。在小信号特性上,除考虑了2DEG层外,又在考虑了AlGaAs层、速度饱和、饱和区沟道长度调制效应和源、漏串联电阻RS和RD等效应的基础上,推导出直流特性、跨导、输出电导和栅电容的解析表达式。仿真说明,在较大的栅、漏压范围内,该模型的理论值与实验结果符合良好。
向兵武慧微赵高峰
关键词：高电子迁移率晶体管半导体器件二维电子气
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共1页<1>
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