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范卓维

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：同济大学材料科学与工程学院更多>>
相关领域：电子电信化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇化学工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇低压ZNO压...
  • 1篇低压氧化锌压...
  • 1篇电阻
  • 1篇压敏电阻
  • 1篇氧化铋
  • 1篇烧成
  • 1篇烧成温度
  • 1篇相变
  • 1篇相变过程
  • 1篇BI

机构

  • 1篇同济大学
  • 1篇苏州中普电子...

作者

  • 1篇许业文
  • 1篇孙丹峰
  • 1篇徐政
  • 1篇范卓维

传媒

  • 1篇硅酸盐通报

年份

  • 1篇2006
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
低压ZnO压敏电阻中Bi_2O_3-TiO_2相变过程的研究被引量：1
2006年
在最高温度950℃、1050℃、1150℃、1250℃4个温度下,采用2种配方:98.3%ZnO-0.7%Bi2O3-1.0%TiO2(摩尔分数),相应的无TiO2配方99.3%ZnO-0.7%Bi2O3(摩尔分数),分别制备样品进行对比研究。发现前者在950℃和1050℃的烧结温度下,没有形成明显Bi2O3偏聚的晶界;在1150℃和1250℃下,却形成了清晰的富铋晶界。而后者在950℃、1050℃、1150℃、1250℃4个温度下均形成了非常明显且清晰可辨的ZnO晶粒和晶界。通过XRD及相对峰强分析,发现了Bi2O3和TiO2在低压ZnO压敏电阻中的相变过程,并对其在烧结过程中的作用提出新的解释。
许业文范卓维徐政孙丹峰
关键词：低压氧化锌压敏电阻烧成温度氧化铋
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共1页<1>
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