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郑云飞

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：西安电子科技大学电子工程学院天线与微波技术国家重点实验室更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇金属氧化物半...
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  • 1篇功率放大
  • 1篇功率放大器
  • 1篇功率器件
  • 1篇放大器
  • 1篇放大器设计
  • 1篇半导体工艺
  • 1篇RF_LDM...

机构

  • 1篇中国科学院
  • 1篇西安电子科技...

作者

  • 1篇张小苗
  • 1篇宋贺伦
  • 1篇曾大杰
  • 1篇郑云飞
  • 1篇罗玲
  • 1篇王一哲

传媒

  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2014
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
RF LDMOS器件与高效率功率放大器设计被引量：1
2014年
为满足人们高速通信的需求，多载波、宽带已经成为新的发展方向，这对功率器件和放大器需要提出新的要求。文中基于改进后CMOS工艺模块。针对GSM基站频段，通过对RFLDMOS版图的优化，制备了实际的RFILDMOs芯片。使用负载牵引系统测出器件在940MHz时P3db压缩点输出功率52．6dBm，效率72％。并使用负载牵引系统测量出的数据制作了一款工作于920～960MHz的高效率功率放大器，通过对匹配电路地优化，p1db压缩点达到52．7dBm，P1db压缩点效率为65％，在功率回退8dB时效率为32．8％，线性增益18dB。
郑云飞王一哲张小苗罗玲曾大杰宋贺伦
关键词：功率器件互补金属氧化物半导体工艺功率放大器
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