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韩锴

作品数:10 被引量:8H指数:2
供职机构:潍坊学院物理与光电工程学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金博士科研启动基金国家科技重大专项更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术理学文化科学更多>>

文献类型

  • 8篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 3篇自动化与计算...
  • 1篇机械工程
  • 1篇文化科学
  • 1篇理学

主题

  • 2篇图像
  • 2篇图像增强
  • 2篇微电子
  • 2篇光子
  • 1篇地方院校
  • 1篇电荷
  • 1篇电荷分布
  • 1篇电路
  • 1篇对比度
  • 1篇氧化物半导体
  • 1篇映射
  • 1篇原子
  • 1篇原子系统
  • 1篇院校
  • 1篇栅介质
  • 1篇直方图
  • 1篇直方图均衡
  • 1篇视觉
  • 1篇视觉追踪
  • 1篇双光子

机构

  • 8篇潍坊学院
  • 2篇中国科学院微...
  • 1篇北方工业大学
  • 1篇哈尔滨工业大...
  • 1篇全球能源互联...

作者

  • 9篇韩锴
  • 4篇徐永贵
  • 2篇张鲁筠
  • 1篇黄宝歆
  • 1篇李英德
  • 1篇徐永贵
  • 1篇赵加强
  • 1篇张建心
  • 1篇孙海竹
  • 1篇高建峰
  • 1篇黄小东

传媒

  • 4篇潍坊学院学报
  • 2篇半导体技术
  • 1篇原子与分子物...
  • 1篇山东科学

年份

  • 1篇2021
  • 2篇2019
  • 1篇2017
  • 3篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2013
10 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
基于角膜反射的非接触式视觉追踪技术
视觉追踪技术能对认识人们的意图、需要、认知过程等产生巨大的作用,能被应用于许许多多的方面,如人机交互/(残疾人辅助/)、心理学/(认知研究/)、工业商业/(广告分析/)等等。按照是否对用户有干扰,可分为接触式和非接触式两...
韩锴
关键词:视觉追踪非接触式角膜反射空间映射
文献传递
不同退火氛围对TiN/HfO_(2)/SiO_(2)/Si结构电荷分布的影响
2021年
热退火技术是集成电路制造过程中用来改善材料性能的重要手段。系统分析了两种不同的退火条件(氨气氛围和氧气氛围)对TiN/HfO_(2)/SiO_(2)/Si结构中电荷分布的影响,给出了不同退火条件下SiO_(2)/Si和HfO_(2)/SiO_(2)界面的界面电荷密度、HfO_(2)的体电荷密度以及HfO_(2)/SiO_(2)界面的界面偶极子的数值。研究结果表明,在氨气和氧气氛围中退火会使HfO_(2)/SiO_(2)界面的界面电荷密度减小、界面偶极子增加,而SiO_(2)/Si界面的界面电荷密度几乎不受退火影响。最后研究了不同退火氛围对电容平带电压的影响,发现两种不同的退火条件都会导致TiN/HfO_(2)/SiO_(2)/Si电容结构平带电压的正向漂移,基于退火对其电荷分布的影响研究,此正向漂移主要来源于退火导致的HfO_(2)/SiO_(2)界面的界面偶极子的增加。
徐永贵韩锴高建峰
关键词:高K栅介质金属栅电荷分布偶极子
改进的MOSFET制作工艺研究
2015年
本文针对传统MOSFET制作流程复杂,花费巨大的缺点,提出了一种改进的MOSFET制作方案,在保留MOSFET基本特性基础上,可以大幅度减少工艺流程。并利用此方法成功制作出了MOSFET器件并检测到了良好的电学特性。
韩锴徐永贵
关键词:集成电路微电子MOSFET
基于空间变换和直方图均衡的彩色图像增强方法被引量:1
2016年
提出了一种基于空间变换和直方图均衡的彩色图像增强方法。该方法首先将彩色图像从RGB空间转换到HSI空间,然后在I空间使用对比度受限的局部直方图均衡方法进行图像增强。通过仿真实验证明,该方法既能最大程度的保留彩色图像的色彩信息,又能提高彩色图像对比度,并凸显细节。
张鲁筠韩锴徐永贵
关键词:彩色图像图像增强HSI空间
高温氧化对SiC MOS器件栅氧可靠性的影响
2017年
SiC金属氧化物半导体(MOS)器件中SiO_2栅氧化层的可靠性直接影响器件的功能。为了开发高可靠性的栅氧化层,将n型4H-SiC(0001)外延片分别在1 200,1 250,1 350,1 450和1 550℃5种温度下进行高温干氧氧化实验来制备SiO_2栅氧化层。在室温下,对SiC MOS电容样品的栅氧化层进行零时击穿(TZDB)和与时间有关的击穿(TDDB)测试,并对不同干氧氧化温度处理下的栅氧化层样品分别进行了可靠性分析。结果发现,在1 250℃下进行高温干氧氧化时所得的击穿场强和击穿电荷最大,分别为11.21 MV/cm和5.5×10-4C/cm^2,势垒高度(2.43 eV)最接近理论值。当温度高于1 250℃时生成的SiO_2栅氧化层的可靠性随之降低。
周钦佩张静夏经华许恒宇万彩萍韩锴
关键词:可靠性
地方院校微电子科学与工程专业校企合作机制研究被引量:2
2016年
微电子是一门实践性非常强的学科,要想提高学生的培养质量,建立校企合作的培养机制非常关键,但是对于普通地方院校的微电子专业来说,建立校企合作存在诸多障碍,本文首先简要论述了微电子专业开设的背景以及校企合作的必要性,然后着重分析了如何在普通地方院校微电子专业开展校企合作。
徐永贵韩锴
关键词:地方院校微电子校企合作
基于插值和对比度受限算法的局部直方图均衡被引量:3
2019年
局部直方图均衡方法是目前最为普遍有效的图像增强方法,但其不可避免的会带来块效应以及过度增强的效果.而传统的消除块效应方法一般耗时巨大或者效果不佳,针对这种情况,本文提出使用子块不重叠线性/双线性插值算法来消除块效应,并提出使用对比度受限直方图算法来抑制过度增强.本文详细阐述了插值法和对比度受限算法的具体过程;并进行Matlab仿真实验,通过对比分析各种均衡算法的结果和运行时间,证明本文所提出的基于插值和对比度受限算法的局部直方图均衡方法在图像增强的精度和速度方面确实有效可行.
张鲁筠韩锴徐永贵黄小东
关键词:图像增强块效应
法拉第效应对N掺杂硅耦合腔光波导群速度的调控研究
2016年
耦合腔光波导是由光子晶体点缺陷的缺陷模式相互耦合而实现的,群速度是其重要的性能指标。本文模拟了由N掺杂半导体硅构成的光子晶体耦合腔光波导的能带结构。模拟发现,借助N掺杂半导体硅的法拉第效应,逆着光的传播方向施加磁场,缺陷模式所对应的相对介电参数会变小,群速度也随之逐渐降低,可以获得2.088×10-4c的群速度,证实了法拉第磁光效应对波导群速度的调控作用。这一性能为如何在太赫兹或更低频段实现慢光效应提供了一种新的有效方式。
孙海竹张建心韩锴黄宝歆
关键词:光子晶体群速度
双光子J-C模型实现非定域双原子系统量子特性的远程控制被引量:2
2019年
考虑一对纠缠的二能级原子之一与单模腔场发生双光子共振相互作用,经腔QED演化后,对腔场进行光子探测,通过操纵相互作用的时间和光场参数以及初态两纠缠原子的纠缠度,可远程调控腔外原子表现出更强的非经典效应,如原子的偶极压缩;同时使用相同的方法对远程控制的信道-原子间的纠缠演化也进行了控制,从而更有效地实现对原子量子特性的控制.并且发现原子的压缩和原子间的纠缠存在一定的对应关系.
郭耀武高德恒韩锴李英德赵加强
关键词:纠缠度部分转置矩阵负本征值偶极压缩
共1页<1>
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