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文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇专利

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇短路
  • 1篇阴极
  • 1篇双极
  • 1篇欠压锁定
  • 1篇基极
  • 1篇集电极
  • 1篇共基极
  • 1篇发射极
  • 1篇达林顿管

机构

  • 2篇西安微电子技...

作者

  • 2篇鲁亚翠
  • 1篇刘佑宝
  • 1篇魏海龙
  • 1篇王勇
  • 1篇白欢利
  • 1篇尤路

传媒

  • 1篇电子器件

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2006
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
半导体保护器件阴极短路区的设计被引量:1
2006年
为改善半导体保护器件的主要特性参数,通过对半导体保护器件基本原理的简单论述,深入研究了阴极短路结构的相关理论,分析了阴极短路区结构和工艺对半导体保护器件主要特性参数的影响,提出了优化半导体保护器件主要特性参数的一些方法。
鲁亚翠刘佑宝
关键词:阴极
一种双极欠压锁定保护电路
本发明公开了一种双极欠压锁定保护电路,包括电阻比例电流镜和启动电路,电阻比例电流镜包括LPNP1管、LPNP2管和LPNP3管,LPNP1管发射极通过电阻R1与电源Vcc连接,LPNP2管发射极通过电阻R2与电源Vcc连...
鲁亚翠白欢利李新瑞尤路魏海龙王勇
共1页<1>
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