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倪铭

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：国防科学技术大学计算机学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇温度
  • 1篇温度范围
  • 1篇晶体管
  • 1篇TCAD
  • 1篇CMOS器件

机构

  • 1篇国防科学技术...

作者

  • 1篇余金山
  • 1篇马驰远
  • 1篇倪铭

传媒

  • 1篇微电子学

年份

  • 1篇2015
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
基于TCAD的45nm CMOS器件温度特性模拟
2015年
基于TCAD工具,在一定温度范围内,对45nm器件的电特性与性能稳定性是否能保持进行了建模和模拟验证。通过TCAD工具建立工具流,在300~400 K温度下,实现对45nm CMOS器件I-V特性的模拟,以观察器件在一定温度范围内的特性曲线。通过与工艺文件对比表明,在25℃~127℃范围内,45nm CMOS器件的电特性能够保持一定的稳定性。
倪铭余金山马驰远
关键词：晶体管温度范围
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共1页<1>
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