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刘剑

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：中国人民解放军西安通信学院更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇MOSFET

机构

  • 1篇中国人民解放...

作者

  • 1篇陆玉娥
  • 1篇蒋卓勤
  • 1篇刘剑
  • 1篇孔凡东

传媒

  • 1篇现代电子技术

年份

  • 1篇2009
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
关于MOSFET的双峰效应量化评估研究被引量：1
2009年
介绍一种关于双峰效应(Double-Hump)的评估方法。通过对MOSFET的Id-Vg曲线的分析,双峰效应的程度可以用数字化评估。采取这种量化表征,细致地研究了双峰效应与掺杂浓度的关系。建立了MOS的Vt和Punch-through的粒子注入有效浓度和双峰效应的相互关系模型。它们之间的相互关系与现存的理论一致。
陆玉娥蒋卓勤孔凡东刘剑
关键词：MOSFET
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共1页<1>
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