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尹冬冬
作品数:
3
被引量:4
H指数:1
供职机构:
中国科学院半导体研究所
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发文基金:
国家自然科学基金
国家重点基础研究发展计划
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相关领域:
理学
电子电信
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合作作者
吕倩倩
中国科学院半导体研究所
杨晓红
中国科学院半导体研究所
韩勤
中国科学院半导体研究所
何婷婷
中国科学院半导体研究所
李彬
中国科学院半导体研究所
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SOI波导与InGaAs/InP光电探测器的集成
被引量:4
2014年
成熟的CMOS技术可制备无源光学器件,但高效光源和高性能光探测仍需要III^V族半导体材料。综述了近期III^V族外延片与SOI(silicon-on-insulator)波导集成的键合技术,按键合材料的不同分为无机和有机材料键合。着重分析了各种InGaAs/InP光电探测器与SOI波导集成的光耦合方案,并对其优缺点进行对比。同时给出设计的一种倏逝波耦合的InGaAs/InP光电探测器,用时域有限差分(FDTD)法对器件光学特性进行了模拟,以SOI上有机键合的方式,获得95%的探测器吸收效率,表明该SOI波导集成的光电探测器可实现小体积、低损耗及高响应度的光探测,符合片上光互连系统的要求。
崔荣
杨晓红
吕倩倩
尹冬冬
尹伟红
李彬
韩勤
关键词:
探测器
键合技术
一种硅基混合集成雪崩光电探测器
本发明公开了一种硅基混合集成雪崩光电探测器(APD),包括自下而上叠置的SOI(silicon‑on‑insulator)倒锥耦合结构、键合层、波导和光学匹配层,以及雪崩光电探测结构。波导和光学匹配层包括波导区和光学匹配...
尹冬冬
杨晓红
韩勤
何婷婷
吕倩倩
文献传递
一种硅基混合集成雪崩光电探测器
本发明公开了一种硅基混合集成雪崩光电探测器(APD),包括自下而上叠置的SOI(silicon?on?insulator)倒锥耦合结构、键合层、波导和光学匹配层,以及雪崩光电探测结构。波导和光学匹配层包括波导区和光学匹配...
尹冬冬
杨晓红
韩勤
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