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彭程万

作品数：1 被引量：6H指数：1
供职机构：湛江师范学院物理科学与技术学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 1篇点缺陷
  • 1篇声子晶体
  • 1篇填充率
  • 1篇缺陷态
  • 1篇晶体

机构

  • 1篇广东工业大学
  • 1篇湛江师范学院

作者

  • 1篇钟兰花
  • 1篇吴福根
  • 1篇彭程万

传媒

  • 1篇应用声学

年份

  • 1篇2009
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
二维点缺陷声子晶体中缺陷填充率对能带的影响被引量：6
2009年
用超元胞的平面波展开法,计算了存在点缺陷的二维水/水银声子晶体的能带结构和压强分布。通过改变5×5超元胞中心圆柱体的半径而引入缺陷,发现缺陷填充率(F_d)小于或大于正常柱体填充率(F_0)一定数值时(如当F_0=0.35,F_d<0.10或F_d>0.50),都将出现缺陷态,且F_d对缺陷态的频率有重要影响。还比较了当F_d=0.03和F_d=0.90两种情况下缺陷态的压强分布,计算结果表明压强分布均具有局域性,F_d的大小对单模缺陷态的局域程度有影响,而对二重简并模无显著影响。
钟兰花吴福根彭程万
关键词：声子晶体缺陷态
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共1页<1>
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