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PMN-PT单晶与Ag电极共烧界面结构及扩散行为研究: 2023年; 采用丝网印刷工艺在PMN-PT弛豫铁电单晶晶片表面涂覆了中温及高温两种银浆,通过快速烧结工艺分别在650和850℃条件下制备了银电极。采用扫描电子显微镜观察银电极表面及金属-晶体界面的微观结构,采用能谱分析了界面的元素分布情况。银电极厚度为几十微米,呈多孔结构,与晶体结合良好。经过烧结后,晶体中的Pb、Nb、Ti等原子向银电极发生了迁移,而高温银浆烧结后在界面形成几微米厚的过渡层,晶体中原子向电极中的迁移大幅度减少。不同晶向的PMN-PT晶片在高温下向银电极扩散过程中具有很强的晶面效应,[110]方向晶体中Pb、Nb、Ti原子向电极中的扩散程度小于[100]方向晶体。; 郑彧童亚琦李辉李辉张璇张微; 关键词：PMN-PT 原子扩散

雾化法生产FeCu30合金粉的工艺研究被引量：1: 2015年; 用水雾化法制造金刚石工具用FeCu合金粉末,通过对雾化工艺、还原工艺的优化设计,对不同还原温度制得的粉末检测其松比、氧含量的变化,结合金刚石工具的胎体硬度、抗弯强度与切割效率、耐磨性、切割寿命之间的关系,研制性能优良,用途广泛的合金粉末。试验结果表明:雾化水压力80 MPa,水流量80L/min,选用5mm漏嘴,还原温度在(600±10)℃,还原时间25min时,制得的合金粉末各项性能指标最佳。; 姜兴斌顾毅李辉蒋鑫赵全马春生高莹; 关键词：水雾化法胎体预合金粉抗弯强度

一种合成金刚石用合金触媒粉末的装备及工艺: 本发明公开了一种合成金刚石用合金触媒粉末的装备及工艺，所述装备包括依次连接的金属熔炼室、中间包、水气联合雾化喷盘、隔离阀、雾化室、泥浆泵、离心机和干燥机，金属熔炼室内设置熔炼炉，金属熔炼室内还包括水气联合喷盘，水气联合喷...; 高莹李辉吴艺辉赵全李丹; 文献传递

一种多步反复合成制备稀土掺杂钆镓铝单晶原料的方法: 本发明提供一种多步反复合成制备稀土掺杂钆镓铝单晶原料的方法，包括以下操作：1)称取用于掺杂的稀土和制备钆镓铝单晶的原料，放入坩埚中预烧；2)将预烧后的粉料混合均匀；3)将混合均匀的粉料放入坩埚，在温度1300～1600℃...; 李辉王海丽陈建荣黄存新周振翔

GAGG∶Ce闪烁晶体的缺陷研究: 2019年; 通过提拉法生长了掺铈钆镓铝石榴子石结构闪烁晶体(简称GAGG∶Ce),采用扫描电镜、金相显微镜、能谱仪等手段观察和分析了晶体中容易出现的枝晶、位错、偏析、裂纹等缺陷。提出了产生缺陷的主要原因有引晶过程中的热冲击、籽晶位错的引入、提拉旋转速度以及降温工艺等因素产生的内应力。探讨了降低或控制GAGG∶Ce闪烁晶体中缺陷出现的方法。; 陈文明李辉王海丽陈建荣; 关键词：闪烁晶体提拉法

陶瓷坩埚在水雾化法制造触媒合金粉中的应用研究被引量：1: 2014年; 本文介绍了陶瓷坩埚在水雾化法制造合成人造金刚石用触媒合金粉末中的应用。通过和石墨坩埚的对比实验,结果表明:陶瓷坩埚做为中间包材质生产出的触媒合金粉,粉末粒度更细,粉末粘连少,合成出的金刚石单晶晶形完整,透明度好,为进一步提高金刚石的品位进行了实验摸索。; 李丹姜兴斌顾毅李辉蒋鑫马春生高莹周连科; 关键词：水雾化法粉末触媒

新型高光输出无机闪烁晶体研究进展: 闪烁晶体是当今人工晶体材料领域有重大经济效益的主流晶体之一,作为高端探测装备的核心材料,广泛应用于安检、医疗、石油勘探等领域,蕴藏的产业规模极其巨大。近年来,随着高能物理和核医学成像等领域的发展,具有高光输出和高能量分辨...; 王海丽黄存新陈建荣李辉

铁锰无磁合金粉的水雾化法生产工艺研究被引量：5: 2018年; 采用水雾化法制备铁锰无磁合金粉末,分析了合金粉末含锰质量分数和雾化工艺对铁锰合金粉末性能的影响规律。结果表明:水雾化法生产铁锰无磁合金粉的方案可行,但锰质量分数不宜低于24%;在实验工况条件下,雾化压力对松装密度的影响可以忽略不计,雾化压力提高使产品流动性变差,以15 MPa雾化压力进行生产时,产品工艺性能(松装密度、流动性)最好;雾化压力的提高有助于提高产品烧结密度,在满足产品流动性要求的前提下,可以考虑通过提高雾化压力来提高产品烧结密度。; 高莹顾毅吴艺辉李辉马春生赵全李丹; 关键词：水雾化法

LaBr_3:Ce闪烁晶体的生长及性能研究被引量：8: 2018年; 掺铈溴化镧(LaBr_3∶Ce)闪烁晶体具有光输出高、衰减时间短、能量分辨率高等优异特性,在核医学成像、地质勘探、石油测井、空间物理等核辐射探测领域具有广阔的应用前景。本文采用改进的坩埚下降法,利用自发成核成功地生长了Ce^(3+)掺杂浓度5.0at%、尺寸φ50 mm×60 mm的LaBr_3∶Ce闪烁晶体,测试了晶体的光输出、能量分辨率和衰减时间等闪烁性能。结果表明,在137Cs(662 ke V)放射源作用下,LaBr_3∶Ce晶体的光输出为同体积Na I∶Tl晶体的155%,能量分辨率为3.3%,衰减时间为25 ns。; 王海丽陈建荣李辉郭蕾张永春黄存新

Gd_(3)(Al,Ga)_(5)O_(12):Ce晶体生长与闪烁性能研究: 2023年; 掺铈钆铝镓石榴石(Gd_(3)(Al,Ga)_(5)O_(12)∶Ce,简称GAGG∶Ce)闪烁晶体是近年来发现的一种新型稀土闪烁晶体,具有光输出高、能量分辨率高、衰减时间短、无自辐射和不潮解等优点,在核医学成像、安检和环境监测等领域具有广阔的应用前景。本文报道了GAGG∶Ce晶体的提拉法生长与闪烁性能表征。利用高温固相反应法合成GAGG∶Ce原料,采用XRD对合成的原料进行了物相分析,结果表明,在1500℃下煅烧12 h合成的多晶料为纯GAGG相。利用提拉法生长出尺寸φ50 mm×90 mm的GAGG∶Ce晶体,测试了其透过光谱、X射线激发发射光谱和脉冲高度谱,结果表明,7 mm厚样品550 nm的透过率为81.5%,晶体X射线激发发射峰中心波长位于550 nm,晶体的光输出为59000 photons/MeV,能量分辨率为6.2%@662 keV,晶体衰减时间快分量为149 ns,慢分量为748 ns。; 王海丽李辉李辉石爽爽苏健张微陈建荣张微; 关键词：闪烁晶体提拉法

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李辉