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温钰

作品数：20 被引量：0H指数：0
供职机构：京东方科技集团股份有限公司更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 20篇中文专利

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 13篇薄膜晶体
  • 11篇晶体管
  • 11篇薄膜晶体管
  • 9篇显示装置
  • 5篇显示器
  • 5篇漏电
  • 5篇漏电流
  • 4篇栅绝缘层
  • 4篇指纹
  • 4篇显示面板
  • 4篇面板
  • 4篇绝缘层
  • 4篇沟道
  • 3篇栅极
  • 3篇漏极
  • 3篇基板
  • 2篇挡墙
  • 2篇等离子体处理
  • 2篇电场
  • 2篇电场分布

机构

  • 20篇京东方科技集...

作者

  • 20篇温钰
  • 8篇胡合合
  • 4篇任庆荣
  • 4篇张文林
  • 4篇孙建明
  • 4篇刘松
  • 2篇王珂
  • 2篇李正亮
  • 2篇杨维
  • 2篇宁策
  • 2篇邸云萍
  • 2篇许睿
  • 2篇刘英明
  • 2篇王海生
  • 2篇刘伟
  • 2篇杜建华
  • 2篇李昌峰
  • 2篇李东升
  • 2篇黄睿

年份

  • 3篇2021
  • 4篇2020
  • 1篇2019
  • 4篇2018
  • 7篇2017
  • 1篇2016
共 20 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
制造半导体器件的方法、阵列基板和显示装置
本公开提供了一种制造半导体器件的方法、一种阵列基板和一种显示装置。制造半导体器件的方法包括：在基板上方沉积第一氧化物半导体层，将H<Sub>2</Sub>O<Sub>2</Sub>溶液喷洒到第一氧化物半导体层上；采用紫外...
温钰胡合合
一种指纹识别器件及其制备方法、触控面板
本发明提供一种指纹识别器件及其制备方法、触控面板，所述指纹识别器件包括第一光敏单元、第二光敏单元和第一薄膜晶体管，第一薄膜晶体管用于输出第一光敏单元的光电流信号，第一光敏单元能够将手指的谷和脊的光信号转换为电流信号，第二...
孙建明吴慧利李东升黄睿任庆荣张文林温钰刘松
薄膜晶体管及其制造方法、显示基板、显示面板
本发明公开了一种薄膜晶体管及其制造方法、显示基板、显示面板，属于显示领域。包括：设置在衬底基板上的栅极图形、栅绝缘层、有源层和源漏极图形，所述源漏极图形包括源极和漏极，所述漏极平行于所述衬底基板的表面的截面呈环形，所述源...
温钰
薄膜晶体管、其制备方法及显示器件
本发明涉及显示领域，特别涉及薄膜晶体管、其制备方法及显示器件。本发明的薄膜晶体管，包括与所述栅极相接触的光电转换层，所述光电转换层用于在光照环境下产生感应电势。在本发明中，光电转换层接受光照后产生感应电势，可以补偿栅极进...
刘松温钰孙建明李正亮马啸尘胡合合张文林杜建华宁策
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薄膜晶体管结构及其制造方法、显示面板、显示装置
本发明公开一种薄膜晶体管结构及其制造方法、显示面板、显示装置，涉及显示技术领域，为防止第一薄膜晶体管的有源层中的氢扩散至第二薄膜晶体管的有源层而对第二薄膜晶体管的性能造成不良影响。该薄膜晶体管结构包括衬底基板，及形成在衬...
胡合合杨维卢鑫泓王珂温钰
薄膜晶体管结构及其制造方法、显示面板、显示装置
本发明公开一种薄膜晶体管结构及其制造方法、显示面板、显示装置，涉及显示技术领域，为防止第一薄膜晶体管的有源层中的氢扩散至第二薄膜晶体管的有源层而对第二薄膜晶体管的性能造成不良影响。该薄膜晶体管结构包括衬底基板，及形成在衬...
胡合合杨维卢鑫泓王珂温钰
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薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示器
本发明提供一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示器，该薄膜晶体管的制作方法，包括：提供基板；在所述基板上形成栅极层、栅绝缘层和有源层；在所述有源层上沉积金属层，采用含氟气体对所述金属层进行等离子体处理，对处理后的金属...
温钰
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薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及显示装置
本发明涉及一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及显示装置，其中，薄膜晶体管的有源层包括沟道区、源极区和漏极区，所述源极区和漏极区分别设置在所述沟道区的两侧，所述沟道区包括掺杂有第五族元素的多晶硅结构。通过掺杂第五族元素增...
王利忠周天民温钰
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一种薄膜晶体管、阵列基板及其制备方法、显示装置
本发明涉及显示技术领域，公开了一种薄膜晶体管、阵列基板、显示装置及阵列基板的制备方法。薄膜晶体管包括栅极层、栅极绝缘层、有源层以及源极和漏极，其中：栅极绝缘层位于栅极层与有源层之间，源极和漏极位于栅极绝缘层背离栅极层的一...
胡合合温钰
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CMOS薄膜晶体管及其制备方法和显示装置
本发明提供一种CMOS薄膜晶体管及其制备方法以及显示装置。CMOS薄膜晶体管包括：基板，所述基板包括第一区域和第二区域；第一半导体图案，位于所述第一区域；栅极绝缘层，覆盖所述第一半导体图案；第一栅极，设置于所述第一区域；...
王利忠邸云萍温钰
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共2页<12>
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