蔡俊江
- 作品数：2 被引量：10H指数：1
- 供职机构：中国科学技术大学物理学院物理系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- ZnO∶Al/p-Si的接触特性被引量：1
- 2005年
- 利用射频磁控溅射制备了ZnO:Al/p-Si接触,并对其进行C-V和I-V特性的77～350 K变温测量.并对未热退火和800℃热退火两种样品的测量结果进行了对比分析.结果发现,未经热退火和经过热退火处理的样品在C-V和I-V特性上有很大差别.解释了两种样品的C-V和I-V测量结果的不同.对于未退火的样品,由于界面处的大量界面态的屏蔽作用,使得ZnO:Al/p-Si异质结的C-V曲线发生畸变.经800℃热退火,ZnO:Al/p-Si异质结的C-V特性恢复正常,说明热退火已经消除了异质结中的界面态和缺陷态.研究表明ZnO:Al/p-Si异质结经适当热退火处理有更好的整流特性同时对光致发光也更有利.
- 刘磁辉段理林碧霞刘秉策雷欢蔡俊江傅竹西
- 关键词：界面态
- ZnO/p-Si异质结的光电转换特性被引量：9
- 2005年
- 通过直流反应溅射制备了整流特性良好的ZnO/pSi异质结,并在该异质结上观察到了明显的光电转换特性.研究表明ZnO薄膜中的电子浓度在一个合适的数值(1.6×1015cm-3)时光电流最强,另外晶粒尺寸越大光电流越强.分析表明,电子浓度和晶粒直径对光电流的影响规律在很大程度上是载流子散射导致的.此外,还发现ZnO薄膜存在一个临界厚度,当薄膜厚度大于该临界厚度时,异质结的光电压和光电流都急剧衰减并很快接近于0.实验表明,这个临界厚度和ZnO薄膜(001)面最大晶粒直径一致.
- 段理林碧霞傅竹西蔡俊江张子俞
- 关键词：ZNO异质结光伏效应
