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赵豹

作品数：4 被引量：2H指数：1
供职机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院更多>>
发文基金：国家电网公司科技项目国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 2篇电子辐照
  • 2篇晶体管
  • 2篇绝缘栅
  • 2篇快恢复二极管
  • 2篇二极管
  • 2篇IGBT
  • 1篇导通
  • 1篇导通压降
  • 1篇电荷耦合
  • 1篇性能表征
  • 1篇折中
  • 1篇深能级
  • 1篇深能级瞬态谱
  • 1篇双极晶体管
  • 1篇双极型
  • 1篇双极型晶体管
  • 1篇瞬态
  • 1篇损耗
  • 1篇通态压降
  • 1篇能级

机构

  • 4篇北京工业大学
  • 2篇国网智能电网...

作者

  • 4篇贾云鹏
  • 4篇胡冬青
  • 4篇谭健
  • 4篇周璇
  • 4篇赵豹
  • 3篇吴郁
  • 3篇李哲

传媒

  • 2篇半导体技术
  • 1篇北京工业大学...

年份

  • 1篇2017
  • 3篇2016
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
电荷耦合内透明集电极IGBT设计与仿真
2016年
针对沟槽型绝缘栅双极型晶体管(IGBT)栅电容较大、开关速度较慢的问题,基于内透明集电极(ITC)技术,将电荷耦合(CC)的思想应用于槽栅IGBT中。采用仿真工具MEDICI对电荷耦合内透明集电极IGBT(CC-ITC-IGBT)的击穿特性、导通特性和开关特性等进行了仿真研究,重点研究了电荷耦合区掺杂浓度和局域载流子寿命控制区(LCLC)载流子寿命对器件性能的影响,并和普通的槽栅内透明集电极IGBT进行了对比。结果表明,在给定的参数范围内,新结构在快速关断区域折中特性曲线更好,在低导通压降区域,优势变得不太明显,因而电荷耦合内透明集电极IGBT更适合做快速关断型。
李哲胡冬青金锐贾云鹏谭健周璇赵豹
关键词：绝缘栅双极型晶体管电荷耦合内透明集电极导通压降
掺铂和电子辐照对快恢复二极管性能的影响
寿命控制技术是现在广泛使用的方法,该方法旨在减少快恢复二极管(FRD)基区载流子寿命从而实现更小的反向恢复时间,同时不可避免地引起其他性能的变化.通过高能电子辐照和扩铂对1200V FRD进行了寿命控制,并对铂扩散和电子...
赵豹贾云鹏吴郁胡冬青周璇李哲谭健
关键词：快恢复二极管电子辐照性能表征
600V槽栅IGBT优良性能的机理分析
2016年
槽栅结构对功率绝缘栅双极晶体管(insulate gate bipolar transistor,IGBT)的影响主要是n-漂移区的电导调制而不是对沟道电阻的改善,为了论证这一问题,采用仿真工具Sentaurus TCAD,针对600 V的Trench IGBT和Planar IGBT两种结构的阻断特性、导通特性和开关特性等进行仿真分析,重点研究了2种结构在导通态时n-漂移区和沟道区各自所占的通态压降的比例以及n-漂移区内的过剩载流子数量.结果表明:2种结构的沟道区压降所占比例较小且相差很少,槽栅结构的n-漂移区内载流子数量远超平面栅结构,电导调制效果更好,即槽栅结构主要是对n-漂移区的电导调制的改善.同时研究了2种IGBT结构的E_(off)-V_(CE(on))折中曲线,发现槽栅IGBT具有更低的通态压降和关断损耗.
吴郁周璇金锐胡冬青贾云鹏谭健赵豹李哲
关键词：BIPOLAR槽栅通态压降关断损耗
掺铂和电子辐照对快恢复二极管性能的影响被引量：2
2016年
寿命控制技术是现在广泛使用的方法,该方法旨在减少快恢复二极管(FRD)基区载流子寿命从而实现更小的反向恢复时间,同时不可避免地引起其他性能的变化。通过高能电子辐照和扩铂对1 200 V FRD进行了寿命控制,并对铂扩散和电子辐照样品在正向压降温度特性、静态和反向恢复特性等方面进行了对比分析,发现铂扩散样品随扩铂温度的增加,其击穿电压变大;高能电子辐照器件呈现电压正温度系数,其正向压降和反向恢复时间(VF-trr)折中曲线更靠近原点。实验结果表明,高能电子辐照样品具有更好的温度系数、更好的VF-trr折中特性,然而反向电流在125℃却高达约210μA。
赵豹贾云鹏吴郁胡冬青周璇李哲谭健
关键词：电子辐照
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