郭立
- 作品数：2 被引量：10H指数：1
- 供职机构：华中科技大学光学与电子信息学院电子科学与技术系更多>>
- 发文基金：科技型中小企业技术创新基金广东省教育部产学研结合项目更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程更多>>
- Zn_2SiO_4掺杂对氧化锌压敏电阻性能的影响被引量：9
- 2011年
- 采用普通陶瓷工艺制备了Zn2SiO4掺杂的氧化锌压敏电阻,研究了Zn2SiO4掺杂量对氧化锌压敏电阻的致密度,晶粒微观结构,小电流性能和通流能力的影响。结果表明:当Zn2SiO4掺杂量达到0.75%(摩尔分数)时,氧化锌压敏电阻晶粒致密均匀;电学性能得到改善,压敏电压梯度和非线性系数分别高达438 V/mm和85,漏电流为0.15μA,样品在耐受5 kA电流下的8/20μs脉冲电流波后,残压比和压敏电压变化率分别为2.0和4.0%。
- 黄国贤姜胜林郭立张光祖翁俊梅
- 关键词：氧化锌压敏电阻晶粒电学性能
- CuO对(Ni_(1/3)Nb_(2/3))_(0.7)Ti_(0.3)O_2微波陶瓷低温烧结性能的影响被引量：1
- 2011年
- 采用传统固相反应法制作(Ni1/3Nb2/3)0.7Ti0.3O2微波陶瓷,研究了CuO掺杂对所制陶瓷低温烧结性能、微观结构、相构成及微波介电性能的影响。结果表明,掺杂少量的CuO就能显著降低(Ni1/3Nb2/3)0.7Ti0.3O2陶瓷的烧结温度,且能改善陶瓷τf。当CuO掺杂量(质量分数)为1.0%时,(Ni1/3Nb2/3)0.7Ti0.3O2在950℃烧结,显示出良好的微波介电性能:εr=67.65,Q·f=3708GHz,τf=14.3×10-6/℃。
- 张岭姜胜林郭立黄浩张光祖
