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何亮

作品数：1 被引量：3H指数：1
供职机构：武汉大学物理科学与技术学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇透射电子显微...
  • 1篇退火
  • 1篇离子注入
  • 1篇量子
  • 1篇量子点

机构

  • 1篇武汉大学

作者

  • 1篇孟宪权
  • 1篇何亮
  • 1篇肖虎

传媒

  • 1篇武汉大学学报...

年份

  • 1篇2008
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
离子注入法制备Si基量子点被引量：3
2008年
利用离子注入法在Si(001)衬底上先后注入了In+和As-,注入能量分别为210,150keV,注入剂量分别为6.2×1016,8.6×1016cm-2,然后对样品经过退火处理制备出了量子点材料(为了避免沟道效应,注入角度选择为7°).用透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)观察了退火后量子点截面像,发现量子点的平均尺寸大小随退火温度和时间增加而增大.
孟宪权何亮肖虎
关键词：量子点离子注入透射电子显微镜退火
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