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何君

作品数:3 被引量:35H指数:3
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 1篇电力
  • 1篇电力电子
  • 1篇电力电子器件
  • 1篇电器件
  • 1篇电子器件
  • 1篇太赫兹
  • 1篇通孔
  • 1篇片上系统
  • 1篇腔面
  • 1篇量子级联
  • 1篇量子级联激光...
  • 1篇面发射
  • 1篇面发射激光器
  • 1篇禁带
  • 1篇军用
  • 1篇激光
  • 1篇激光器
  • 1篇集成技术
  • 1篇功率半导体
  • 1篇光电

机构

  • 3篇中国电子科技...
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 3篇何君
  • 2篇李明月
  • 1篇王明涛

传媒

  • 3篇半导体技术

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2015
  • 1篇2013
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
国外军用大功率半导体激光器的发展现状被引量:20
2015年
由于半导体激光器具有体积小、结构简单、质量轻、转换效率高、可靠性好、寿命长、易于调制及与其他半导体器件易于集成等特点,可应用于军事、工业、医疗、通信等领域,尤其是在激光制导跟踪、激光雷达、激光引信、激光测距、激光通信、激光模拟武器、激光瞄准告警和光纤陀螺等军事领域得到广泛应用。概述了近年来美国和欧洲等国家在半导体激光器方面的主要研制计划及其所取得的成果,重点介绍了Ga As基和In P基近红外大功率半导体激光器、中远红外及太赫兹量子级联半导体激光器等的发展现状和最新研制成果。随着新型半导体材料、激光器结构和热管理等技术的发展,展望了未来半导体激光器技术的发展趋势。
李明月何君
关键词:半导体激光器太赫兹
超宽禁带AlN材料及其器件应用的现状和发展趋势被引量:9
2019年
作为一种Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,AlN不仅具有超宽直接带隙(6.2 eV)、高热导率、高电阻率、高击穿场强、优异的压电性能和良好的光学性能,而且AlN晶体还与其他Ⅲ-N材料具有非常接近的晶格常数和热膨胀系数。这些特点决定了AlN在GaN外延、紫外光源、辐射探测器、微波毫米波器件、光电器件、电力电子器件以及声表面波器件等领域具有广阔的应用前景。介绍了AlN材料在功率器件、深紫外LED、激光器、传感器以及滤波器等领域的应用现状,并对AlN材料及其应用的未来发展趋势进行了分析和展望。
何君李明月
关键词:ALN光电器件电力电子器件
3D集成技术在尖端领域的应用及其发展趋势被引量:6
2013年
近年来,随着微电子系统不断向微小型化发展,3D集成技术的开发和应用倍受关注。3D技术通常使用硅通孔把RF前端、信号处理、存储、传感等功能垂直集成在一起,从而达到增强功能密度、缩小尺寸和提高可靠性的目的。3D集成微系统的集成度和效率比传统电子系统提高了上百倍。以片上系统和封装中系统两大主流3D技术为例,对其在当前微电子领域,特别是在卫星、航天等科技领域的发展现状和产品特性进行了介绍,并对该技术所面临的挑战和未来发展方向做了分析预测。
王明涛何君
关键词:片上系统
共1页<1>
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