您的位置： 专家智库 > >

杨富强

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：邹城市实验中学更多>>
发文基金：安徽高等学校省级自然科学研究项目安徽省高等学校优秀青年人才基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电器件
  • 1篇载流子
  • 1篇量子
  • 1篇量子态
  • 1篇空穴
  • 1篇光电
  • 1篇光电器件
  • 1篇INAS/G...

机构

  • 1篇皖西学院
  • 1篇邹城市实验中...

作者

  • 1篇袁好
  • 1篇金诚
  • 1篇杨富强
  • 1篇宋丽影
  • 1篇魏相飞

传媒

  • 1篇皖西学院学报

年份

  • 1篇2010
共 1 条 记 录，以下是 1-1
全选 清除 导出
排序方式：
基于InAs/GaSb的二类、断带半导体量子阱中载流子的量子态
2010年
基于InAs/GaSb的二类、断带半导体异质结构由于其特殊的能带结构和独特的光电性质而备受关注。主要研究了基于InAs/GaSb的二类、断带半导体量子阱(AlSb/InAs/GaSb/AlSb)中电子和空穴的波函数和能级。通过直接求解有效质量近似下的Schrǒdinger方程得到电子(空穴)沿生长方向的能级和波函数,研究发现:电子和空穴的波函数在材料层的交界面上有一定程度的耦合,所以该系统可以在新型光电器件方面有重要的应用。
魏相飞杨富强金诚宋丽影袁好
关键词：空穴光电器件
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0