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胡应涛

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：中南大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金：湖南省研究生创新基金粉末冶金国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域：金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 1篇热丝
  • 1篇热丝化学气相...
  • 1篇金刚石薄膜
  • 1篇金刚石膜
  • 1篇刻蚀
  • 1篇化学气相
  • 1篇化学气相沉积
  • 1篇SI(100...
  • 1篇SI(111...
  • 1篇CVD金刚石...

机构

  • 1篇中南大学

作者

  • 1篇马莉
  • 1篇尹登峰
  • 1篇魏秋平
  • 1篇余志明
  • 1篇宋玉波
  • 1篇胡应涛

传媒

  • 1篇中南大学学报...

年份

  • 1篇2011
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
酸刻蚀处理对Si(100)和Si(111)上制备CVD金刚石膜的影响被引量：1
2011年
对Si(100)和Si(111)采用相同的酸刻蚀工艺,采用热丝化学气相沉积法(HFCVD)制备金刚石膜。用扫描电子显微镜、X线衍射仪和X线应力测试仪对样品的形貌、织构及残余应力进行检测、分析。研究结果表明:沉积3 h后,Si(100)和Si(111)基体上均生长出晶形比较完整,呈柱状晶方式生长的金刚石薄膜;此外,Si(100)金刚石膜表面分布着大量的微孔,通过调整沉积工艺可控制微孔的数量和尺寸,而Si(111)金刚石膜表面无微孔出现;2种基体所得薄膜都存在(111)织构,后者Si(111)还有一定的(110)织构;2种基体经酸刻蚀之后制得薄膜均无鼓泡剥离现象,二者的残余应力相差不大。
魏秋平宋玉波余志明胡应涛尹登峰马莉
关键词：金刚石薄膜热丝化学气相沉积
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