郑滨
- 作品数：3 被引量：22H指数：1
- 供职机构：河北科技大学理学院更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 长余辉发光材料中掺杂中心参数的理论估算被引量：1
- 2008年
- 采用复合体模型,探讨了长余辉晶体Y2O2S∶Eu中碱土金属离子M2+和Ti4+离子对Y3+离子的取代,离子间价电子数的差异,会造成掺杂中心的净电荷效应,当掺杂中心的净电荷为正时,掺杂中心起电子陷阱作用;当掺杂中心的净电荷为负时,掺杂中心起空穴陷阱作用。利用量子力学变分原理获得了碱土金属离子M2+和Ti4+掺杂中心的势阱深度和捕获半径的对应关系,利用所得结论估算出共掺杂的空穴陷阱[MgY]-和电子陷阱[TiY]+的有效捕获半径分别为0.117 nm和0.071 nm。
- 李新政郑滨
- 关键词：变分原理
- 晶体中光电子涨落的影响因素被引量：1
- 2006年
- 针对晶体中光电子涨落的特点,分析了光吸收激发和热激发中影响光电子产生的因素。在光电子的衰减阶段,不同的电子陷阱所起的作用不同,浅电子陷阱由于延长了光电子在导带的弛豫时间,使光电子的衰减变缓;而深电子陷阱由于对光电子形成强束缚或作为复合中心加速了光电子的衰减。
- 李新政郑滨
- 关键词：光电子热激发电子陷阱
- KDP(KH_2PO_4)晶体材料的研究进展被引量：20
- 2006年
- 回顾了近年关于KDP晶体材料的研究成果,对KDP晶体的不同生长技术、晶体中散射颗粒形成的原因以及晶体的光透过谱进行了介绍,特别对影响KDP晶体激光损伤阈值的原因进行了讨论与分析,并展望了今后KDP晶体的发展趋势。
- 谢英明李新政郑滨杨兰兰
- 关键词：KDP晶体散射激光损伤阈值
