王超 作品数:8 被引量:6 H指数:1 供职机构: 河南大学物理与电子学院 更多>> 发文基金: 国家自然科学基金 河南省教育厅自然科学基金 河南省省院科技合作项目 更多>> 相关领域: 理学 文化科学 生物学 电气工程 更多>>
关于矢量与矢量微分之间标积的若干讨论 被引量:3 2014年 通过分类讨论矢量与矢量微分之间的标积,帮助初学者对矢量与矢量微分之间标积结果的理解. 彭成晓 房彩丽 王超关键词:矢量 衬底温度对磁控溅射法制备的Ag/AZO绒面背反电极性能的影响 被引量:1 2013年 通过优化薄膜硅基太阳能电池的背反电极,使背反电极表面出现均匀的类金字塔结构,能够增大入射光在结区的有效光程,提高光子的捕获率,进而会提高薄膜硅基太阳能电池的光电转换效率.本文采用磁控溅射技术在载玻片上制得Ag/AZO(ZnO∶Al)导电薄膜.在控制其它溅射参量为最优化的情况下,研究了衬底温度对Ag/AZO导电薄膜光电性能及其表面形貌的影响.研究表明:随着衬底温度的增加,薄膜的雾度在可见光范围内先增大后减小;当衬底温度为500℃时,雾度取得最大值,在可见光范围内平均达到了95%以上;电阻率随着衬底温度的增加逐渐增大,且衬底温度超过500℃时电阻率急剧增大.在综合考虑其光电性能的情况下,实验得到当衬底温度为500℃时,所获得的叠层薄膜表面雾度值最好且电阻率很小,这将有助于改善太阳能电池的性能. 王春雷 王超 毛艳丽关键词:AG 光电特性 ITO/AZO透明导电薄膜制备及在太阳能电池中的应用 硅基太阳能电池的前电极与p层接触时产生的反向势垒会极大削弱电池的性能。与掺锡氧化铟(In2O3:Sn,ITO)相比,掺铝氧化锌(ZnO:Al,AZO)具有较高的功函数,可以降低反向势垒的作用。此外ITO与AZO形成的多层... 王超 曾湘波 姚文杰 刘石勇 谢小兵 彭文博 肖海波 王占国关键词:导电薄膜 硅太阳能电池 文献传递 微晶硅(μc-Si:H)薄膜电池性能的数值模拟分析 被引量:1 2012年 运用美国宾州大学开发的太阳电池模拟软件AMPS-1D(Analysis of Microelectronic and Photonic Structures)研究窗口层厚度、前端接触势垒等因素对微晶硅pin太阳电池内建电势和p层势垒的影响,并分析这些因素对太阳电池性能影响的机制。模拟结果表明,前端接触势垒越大,微晶硅电池性能越好。在前端接触势垒小于1.30eV时,p层厚度对电池性能影响明显,在厚度为12nm时微晶硅电池可获得最好性能。 赵本定 王超 王春雷 毛艳丽关键词:势垒 计算机模拟 Si(111)衬底上六方YMnO_3薄膜的制备与铁电性质 2010年 采用化学溶液法在Si(111)衬底上制备了YMnO3薄膜。XRD结果表明,所制备的薄膜为六方纯相YMnO3,且具有部分择优取向生长。以Pt为顶电极,测试了YMnO3薄膜的电滞回线,结果表明,所制备的YMnO3薄膜具有良好的铁电性质。 刘越峰 郑海务 马兴平 王超 张华荣 顾玉宗关键词:SI(111) 电滞回线 枯草菌HemAT蛋白质结合配基O_2的构象变化——紫外共振拉曼光谱研究 2007年 枯草菌HemAT蛋白质是新近发现的一种基于血红素的趋氧性同型二聚体蛋白质。作者对此蛋白质进行了表达和提纯。用紫外共振拉曼光谱研究了全分子和传感域HemAT在与配基O2结合时的构象变化。发现O2配基与HemAT蛋白质的结合使传感域中Trp和Tyr的环境发生变化,而对连接域中Tyr的环境影响可忽略不计。信号发送域对O2配基引起的Trp和Tyr的环境变化不产生影响。O2配基与HemAT蛋白质的结合使得G-螺旋发生位移,传感域与信号发送域通过某种互感方式把O2结合信号从传感域传递到信号发送域。 顾玉宗 张放 皇甫昱 王超 毛艳丽关键词:蛋白质 SiC/Si上六方YMnO_3薄膜的制备和铁电性能 被引量:1 2010年 采用化学溶液法在SiC/Si上制备了YMnO3薄膜。XRD结果显示所制备的薄膜为六方YMnO3,且具有部分择优取向生长。拉曼光谱和XPS的结果验证了样品为六方纯相YMnO3。以Pt为顶电极,测试了YMnO3薄膜的电滞回线,结果显示YMnO3薄膜具有良好的铁电性质。 刘越峰 郑海务 张华荣 王超 马兴平 顾玉宗关键词:电滞回线 衬底温度对直流反应磁控溅射法制备的N掺杂p型ZnO薄膜性能的影响(英文) 2007年 利用直流反应磁控溅射法(纯金属锌作为靶材,Ar-N2-O2混合气体作为溅射气体)在石英玻璃衬底上制备了N掺杂p型ZnO薄膜。通过XRD、Hall和紫外可见透射谱分别研究了衬底温度对ZnO薄膜结构性能、电学性能和光学性能的影响。XRD结果显示所有制备的薄膜都具有垂直于衬底的c轴择优取向,并且随着衬底温度的增加,薄膜的晶体质量得到了提高。Hall测试表明衬底温度对p型ZnO薄膜的电阻率具有较大影响,400℃下生长的p型ZnO薄膜由于具有较高的迁移率(1.32 cm2/Vs)和载流子浓度(5.58×1017cm-3),因此表现出了最小的电阻率(8.44Ω.cm)。 王超 季振国 韩玮智 席俊华 张品关键词:ZNO薄膜 P型 直流反应磁控溅射