刘兴辉
- 作品数：99 被引量：160H指数：7
- 供职机构：辽宁大学物理学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金辽宁省教育厅高等学校科学研究项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
- 一种用于ESD保护的低压触发SCR器件
- 本发明公开了一种用于ESD保护的低压触发SCR器件。本发明创造采用第一PMOS和第二PMOS分别进行衬底触发和栅触发，从而降低SCR器件的触发电压。ESD脉冲信号施加在Anode和Cathode之间，第一PMOS和第二P...
- 蔡小五魏俊秀梁超闫明吕川刘兴辉高哲郭红梅
- 文献传递
- 前结背接触晶硅太阳电池发射区研究
- 2015年
- 利用Silvaco-TCAD仿真软件全面系统地分析了发射区表面浓度(cE)、结深(xj)及发射区覆盖比率(EF)对P型前结背接触晶硅太阳电池输出特性的影响。结果表明:基于常规低成本P型晶硅衬底(利用直拉法生长,电阻率为1.5?·cm,少子寿命为10μs)的前结背接触太阳电池,其上表面发射区表面浓度及结深对太阳电池的输出特性产生显著影响。上表面发射区表面浓度和结深越大,短波入射光外量子效率越小。当上表面发射区表面浓度为1×1019 cm–3,结深为0.2μm时,电池效率高达20.72%。侧面和下表面发射区表面浓度及结深对太阳电池输出特性的影响较小。但侧面和下表面发射区覆盖比率对太阳电池的输出特性产生显著影响。侧面和下表面发射区覆盖比率越大,太阳电池外量子效率和转换效率越高。
- 周涛陆晓东吴元庆刘兴辉吴春瑜
- 关键词：太阳电池发射区结深量子效率
- 改进碳纳米管电接触及粘贴性能的一体式冷阴极制作(英文)被引量：3
- 2013年
- 在阴极玻璃面板上研发了一种新型的一体式冷阴极.印刷的银浆被烧结后用于形成银底电极.制备了薄层底电极浆料,其中含有大量碳纳米管.将薄层底电极浆料印刷在银底电极表面,然后再将普通碳纳米管浆料制作在烘烤的薄层底电极浆料上.利用高纯度氩气作为保护气体,在烧结炉中对这两种浆料同时进行烧结.烧结后的薄层底电极将和银底电极相互融合在一起,碳纳米管层则覆盖于薄层底电极的表面.同一阴极像素中制作了两个碳纳米管发射极.备用碳纳米管发射极的存在,有利于延长整体显示器的使用寿命.利用薄层底电极作为碳纳米管层和银底电极之间的中间层,能够有效改善碳纳米管的粘贴性能,同时增强二者之间的可靠欧姆接触.利用碳纳米管作为阴极制作了一体式冷阴极场发射显示器.该显示器具有良好的发光图像质量以及更好的场发射特性.与普通碳纳米管阴极场发射显示器相比,一体式冷阴极场发射显示器能够将开启场强从2.11V/μm减小到1.68V/μm;将最大场发射电流从905μA提高到1 866.2μA;数值为367μA场发射电流的电流波动不超过4.5%.该一体式冷阴极场发射显示器已经以稳定的发光亮度而连续运行10余天.
- 李玉魁王凤歌刘兴辉卢文科曾凡光
- 关键词：冷阴极丝网印刷场致发射
- 一种CMOS温度传感器输出误差的数字校正方法被引量：2
- 2023年
- 针对CMOS温度传感器模拟校正方法需额外增加校正器件,而数字校正方法存在精度偏低的问题,提出了一种新的适用于CMOS温度传感器的数字校正方法。对CMOS温度传感器的传输函数进行推导,得到温度传感结果与数字电路的关系。根据传输函数,对温度传感器数字电路中的计数器及状态机的参数进行修调,通过改变计数周期个数及计数初值达到校正电路的增益误差及失调误差的目的,得到温度传感器的测温结果。仿真及实测结果表明,采用所提出的校正方法设计的温度传感器,在-55~125℃,测温误差小于1.04℃,满足高精度应用需求。
- 于博文俞若愚尹飞飞刘兴辉
- 关键词：温度传感器传输函数计数器状态机
- 单壁碳纳米管作沟道的场效应晶体管输运特性理论研究被引量：3
- 2012年
- 为研究以单壁碳纳米管(CNT)作沟道的场效应晶体管(FET)的输运特性,采用非平衡格林函数(NEGF)理论,构建了CNTFET的电子输运模型,该方法摒弃粗糙的连续体模型,可实现CNTFET输运性质与手性指数的直接对接。以(17,0)锯齿型管为例,数值计算了CNTFET输出特性、转移特性、跨导、亚阈值摆幅、开关态电流比等电学特性;在等效栅氧化层厚度相同的情况下,对比了采用不同栅介质材料时上述电学特性在数值上的差异,发现随栅介质介电常数的增加,漏感应势垒降低效应变得显著,这不但导致开态时从源注入到漏的电子浓度增加、电流增大,也导致关态电流增大,开关态的电流比减少。研究还发现在通常的栅源和漏源电压下,沟道中出现热电子。
- 刘兴辉张俊松王绩伟曾凡光李新敖强王震王振世马迎王瑞玉
- 关键词：碳纳米管场效应晶体管热电子
- PCI Express多链路的De-Skew逻辑设计
- 2014年
- 对于PCI Express(PCIE)多链路通道来说,发送端使用相同的时钟源同时发送数据时,通常会出现相位偏移(skew)的问题.解决链路中的相位偏移问题,能够保证所有链路中的接收端同时接收并正确处理接收到的数据,这在高速多链路串行电路中尤为重要.我们提出了一种De-skew逻辑电路,并说明了如何利用计数器来计算skew的大小、如何利用选择器控制数据是否经过缓存器,以及所组成的逻辑电路是如何消除链路中的skew;该逻辑设计已通过RTL级仿真和FPGA验证,仿真与验证的结果与预期结果完全符合,充分表明该逻辑设计能够完全解决链路的skew现象.与国外解决skew的方案对比表明,所设计的辑电路具有全面性,优越性和实用性.
- 刘兴辉姜长仁张冬苓曹军罗烨辉
- 关键词：相位偏移多链路逻辑电路
- 三极结构碳纳米管场致发射显示器电场分布的模拟研究
- 为了研究三极结构场致发射显示器内部真空中的电场和电场强度分布,采用非等距的三角形网格划分,利用等参有限元方法对于碳纳米管阴极显示器的外电场进行了计算机模拟.研究了器件内部支撑结构对于外电场分布的影响,定性的分析了支撑结构...
- 李玉魁朱长纯刘兴辉
- 关键词：场致发射显示器碳纳米管三极结构电场分布有限元法计算机模拟
- 文献传递
- 一种用于ESD保护的低压触发SCR器件
- 本发明公开了一种用于ESD保护的低压触发SCR器件。本发明创造采用第一PMOS和第二PMOS分别进行衬底触发和栅触发，从而降低SCR器件的触发电压。ESD脉冲信号施加在Anode和Cathode之间，第一PMOS和第二P...
- 蔡小五魏俊秀梁超闫明吕川刘兴辉高哲郭红梅
- 文献传递
- 应用于时钟发生器的低杂散亚采样锁相环被引量：3
- 2022年
- 设计了一种应用于高精度时钟发生器的低杂散亚采样锁相环(SSPLL)电路。得益于亚采样锁相环锁定时核心环路中没有分频器的存在,带内噪声得到明显的抑制;同时由于采用了大环路带宽,从而也抑制了环形振荡器所主导的带外噪声;使用虚拟采样器消除了二进制频移键控(BFSK)效应,降低了参考杂散;利用单位增益缓冲器和隔离缓冲器进一步降低了参考杂散;改进的可调窄死区发生器有助于锁定时间加快。本文亚采样锁相环基于110 nm CMOS工艺设计,仿真结果表明:电路整体功耗为7.3 mW,锁定时间小于4μs,锁定后输出电压纹波仅为0.42 mV,在75 MHz的频偏处参考杂散为-72.15 dBc。
- 杜佳恒赵宏亮刘兴辉程帅程帅赵野
- 关键词：低杂散锁相环
- 用机械破碎方法提高印刷碳纳米管薄膜的场发射性能被引量：16
- 2005年
- 提出了一种可显著改善丝网印刷碳纳米管(CNTs)薄膜场发射特性的后处理方法,用机械压力通过隔离层对附着于CNTs表面的无机物进行原位破碎,并用高速气流清洁薄膜表面.同其他方法相比,机械破碎方法既不会在处理后的阴极表面留下残留物,也不会使薄膜受损.场发射特性测试表明,与未处理薄膜相比,经过处理的CNTs薄膜的开启场强从2.7V/μm降低到1.7V/μm,同样面积的薄膜(印刷面积为40mm×40mm)在4.2V/μm场强下的发射电流由70μA提高到了950μA,说明机械破碎处理对于提高薄膜的场发射特性有明显作用.该方法在碳纳米管场发射显示器的制作中具有很好的实际应用价值.
- 曾凡光朱长纯刘兴辉刘卫华
- 关键词：碳纳米管薄膜场发射后处理方法场发射显示器
