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张理嫩

作品数：4 被引量：2H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金北京市自然科学基金更多>>
相关领域：电气工程电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文
  • 1篇专利

领域

  • 3篇电气工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇电池
  • 3篇太阳电池
  • 2篇多结太阳电池
  • 2篇硅基
  • 1篇单晶
  • 1篇单晶薄膜
  • 1篇单晶表面
  • 1篇电子器件
  • 1篇太阳能
  • 1篇太阳能电池
  • 1篇同质结
  • 1篇退火
  • 1篇热退火
  • 1篇碲化锌
  • 1篇微电子
  • 1篇微电子器件
  • 1篇模拟软件
  • 1篇快速热退火
  • 1篇化合物半导体
  • 1篇分子束

机构

  • 4篇中国科学院

作者

  • 4篇刘超
  • 4篇张理嫩
  • 3篇崔利杰
  • 2篇曾一平
  • 1篇杨秋旻

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇中国材料科技...
  • 1篇第十届全国分...

年份

  • 1篇2014
  • 3篇2013
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
常用太阳电池结构模拟软件应用分析
2013年
对PCID、SCAPS-1D、AMPS、FORS--HET四种太阳电池一维结构模拟软件进行了应用分析，重点介绍它们的应用范围、软件结构、主要功能及其技术特色。四种软件的基本功能相似，均可在PC机上对常见半导体太阳电池的结构进行模拟计算，但侧重点各不相同。以典型太阳电池器件为例，对上述软件分别进行了模拟计算演示，模拟结果均与实验结果十分符合，显示了太阳电池模拟软件在优化电池器件结构设计上的重要应用价值。
张理嫩崔利杰刘超
关键词：太阳电池模拟软件AMPS
p型碲化锌单晶薄膜材料的掺杂方法
一种p型碲化锌单晶薄膜材料的掺杂方法，包括如下步骤：步骤1：取一单晶衬底；步骤2：在单晶衬底上，外延生长单晶薄膜；步骤3：在单晶薄膜的表面上沉积一层SiO<Sub>2</Sub>纳米薄膜；步骤4：利用双能态氮离子注入的方...
刘超张理嫩杨秋旻崔利杰曾一平
文献传递
硅基Ⅱ-Ⅵ族单结及多结太阳电池研究进展被引量：2
2014年
Ⅱ-Ⅵ族材料具有少子寿命对位错不敏感、禁带宽度范围大及成本低等优点,分子束外延(MBE)生长的Si基Ⅱ-Ⅵ族材料可以作为新的材料体系应用于多结太阳电池中,并且开发新型Si基Ⅱ-Ⅵ族多结电池的效率有可能高于目前的Ⅲ-Ⅴ族多结电池。综述了MBE生长的Si基高质量CdTe和CdZnTe单晶薄膜以及对其进行n型和p型掺杂实验的研究进展。着重介绍了美国EPIR公司对以p-Si为衬底的CdZnTe单结电池和CdZnTe/Si双结电池原型器件的研究成果,其光伏转换效率分别达到了16%和17%,分析了研制高效率Si基Ⅱ-Ⅵ族多结电池面临的技术问题和提高电池效率的可能途径。
张理嫩刘超崔利杰曾一平
关键词：硅基
硅基Ⅱ-Ⅵ族单结及多结太阳电池研究
近年来太阳电池产业获得了空前迅猛的发展,对高效太阳电池系统的研发受到了业界的高度重视,最高的光电转换效率记录不断地被刷新.本文在CPV应用系统中，采用MBE或其它真空沉积技术在大面积Si基上生长以CdTe为基础的II-V...
张理嫩刘超
关键词：太阳能电池
文献传递
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