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谭永亮

作品数：24 被引量：29H指数：2
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 16篇专利
  • 7篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 13篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 11篇欧姆接触
  • 9篇欧姆接触电极
  • 9篇接触电极
  • 7篇退火
  • 7篇GAN_HE...
  • 6篇高温退火
  • 5篇介质层
  • 4篇电极
  • 3篇圆片
  • 3篇热退火
  • 3篇刻蚀
  • 3篇快速热退火
  • 3篇二极管
  • 3篇半导体
  • 2篇栅结构
  • 2篇势垒
  • 2篇势垒层
  • 2篇碳化硅
  • 2篇平整
  • 2篇肖特基

机构

  • 21篇中国电子科技...
  • 2篇河北半导体研...
  • 1篇山东大学

作者

  • 24篇谭永亮
  • 14篇崔玉兴
  • 11篇张力江
  • 8篇胡泽先
  • 7篇周国
  • 4篇高渊
  • 3篇付兴昌
  • 3篇刘英坤
  • 3篇付兴中
  • 3篇廖龙忠
  • 2篇默江辉
  • 1篇杨中月
  • 1篇李亮
  • 1篇梁东升
  • 1篇马杰
  • 1篇吕树海
  • 1篇杜光伟
  • 1篇闫锐
  • 1篇李飞
  • 1篇杨志虎

传媒

  • 4篇半导体技术
  • 1篇电子学报
  • 1篇电力电子技术
  • 1篇通讯世界

年份

  • 1篇2024
  • 4篇2022
  • 4篇2021
  • 3篇2020
  • 2篇2019
  • 6篇2018
  • 2篇2017
  • 1篇2014
  • 1篇2011
共 24 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
碳化硅器件非合金欧姆接触的制作方法及碳化硅器件
本发明提供了一种碳化硅器件非合金欧姆接触的制作方法及碳化硅器件，属于半导体器件制备领域，包括：对碳化硅圆片进行清洗；在碳化硅圆片表面淀积一层介质；光刻定义P型掺杂区域；对需要P型掺杂的区域进行离子注入，并去除光刻胶；光刻...
刘相伍谭永亮周国闫锐崔玉兴
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适用于高温的碳化硅欧姆接触制作方法及碳化硅功率器件
本发明提供了一种适用于高温的碳化硅欧姆接触制作方法及碳化硅功率器件，属于半导体器件制作技术领域，包括以下步骤：清洗碳化硅圆片；光刻定义欧姆接触区域；在碳化硅圆片表面沉积多层金属，所述多层金属依次为镍、钨，或者为，镍、铌；...
谭永亮张力江默江辉杨中月李亮
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N型SiC欧姆接触电极的制作方法
本发明公开了一种N型SiC欧姆接触电极的制作方法，涉及欧姆电极的制作方法技术领域。所述方法包括如下步骤：在N型SiC圆片的上表面欧姆接触电极区进行光刻，制作欧姆接触电极的掩膜；在具有掩膜的SiC圆片的上表面依次沉积Ni层...
谭永亮刘佳佳梁东升刘相伍张力江崔玉兴
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一种GaN HEMT器件及制备方法
本发明提供了一种GaN HEMT器件及制备方法，属于半导体器件制备技术领域，GaN HEMT器件包括基底、欧姆电极、二氧化硅介质层、氮化硅介质层和栅金属层，制备方法包括在基底上制作欧姆电极‑依次形成二氧化硅介质层和氮化硅...
廖龙忠谭永亮高渊胡泽先付兴中张力江
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GaN HEMT器件的通孔制备方法
本发明适用于半导体技术领域，提供了一种GaN HEMT器件的通孔制备方法，该方法包括：在晶圆的势垒层的上表面生长介质层；其中，所述晶圆包括SiC衬底、所述SiC衬底上表面的GaN外延层和所述GaN外延层上表面的势垒层；去...
宋洁晶谭永亮胡多凯李飞周国崔玉兴
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硅基GaN单片功率集成电路的研制
2024年
研制了一款基于硅基GaN工艺,包含增强型器件、耗尽型器件和整流二极管的硅基GaN单片功率集成电路,实现了逻辑驱动电路和功率器件的集成。重点对增强型器件制作工艺流程进行研究,同时,优化“T”型栅栅脚电场工艺。经过测试,硅基GaN单片功率集成电路的最大电流大于600 mA。研制结果验证了全GaN工艺实现逻辑驱动电路和功率器件系统集成的可行性,为复杂功能电路的开发提供方向和思路。
吕树海谭永亮默江辉周国付兴中
关键词：硅基GAN
GaN HEMT器件欧姆接触电极及GaN HEMT器件
本实用新型适用于半导体技术领域，提供了一种GaN HEMT器件欧姆接触电极，所述GaN晶圆的势垒层的上表面与源电极区和漏电极区对应的部分分别设有欧姆接触金属层，所述欧姆接触金属层从下至上依次包括Ti金属层、Al金属层、T...
崔玉兴谭永亮樊帆毕胜赢胡泽先张力江
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GaN HEMT器件欧姆接触电极的制作方法、电极及HEMT器件
本发明适用于半导体技术领域，提供了一种GaN HEMT器件欧姆接触电极的制作方法、电极及HEMT器件，该方法包括：在GaN晶圆的势垒层的上表面与源电极区和漏电极区对应的部分分别形成欧姆接触金属层，所述欧姆接触金属层从下至...
崔玉兴谭永亮樊帆毕胜赢胡泽先张力江
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GaN基器件欧姆接触电极的制备方法
本发明适用于半导体技术领域，提供了一种GaN基器件欧姆接触电极的制备方法，该方法包括以下步骤：在器件的上表面生长第一介质层；在所述第一介质层与欧姆接触电极区对应的区域和所述器件的所述欧姆接触电极区注入硅离子和/或铟离子；...
谭永亮吕鑫赵红刚胡泽先崔玉兴付兴昌
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SiC晶圆背面激光退火工艺研究被引量：1
2022年
降低芯片背面金属-半导体欧姆接触电阻是有效提高器件性能的方式之一。采用650 V SiC肖特基势垒二极管(SBD)工艺,使用波长355 nm不同能量的脉冲激光进行退火实验,利用X射线衍射(XRD)和探针台对晶圆背面镍硅合金进行测量分析,得出最佳能量为3.6 J/cm^(2)。退火后采用扫描电子显微镜(SEM)观察晶圆背面碳团簇,针对背面的碳团簇问题,在Ar;气氛下对晶圆进行了表面处理,使用SEM和探针台分别对两组样品的表面形貌和电压-电流特性进行了对比分析。实验结果表明,通过表面处理可以有效降低表面的碳含量,并且使器件正向压降均值降低了6%,利用圆形传输线模型(CTLM)测得芯片的比导通电阻为9.7×10^(-6)Ω·cm^(2)。器件性能和均匀性都得到提高。
吴嘉兴刘英坤谭永亮刘佳佳
关键词：SIC激光退火镍硅化物欧姆接触碳团簇
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