魏晓东
- 作品数：3 被引量：3H指数：1
- 供职机构：浙江大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金浙江省自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 分子束外延PbTe薄膜中的红外光电导探测器被引量：1
- 2010年
- 中红外探测器在诸多领域具有重要的应用,目前,我国在PbTe、PbSe中红外探测器方面研制较少,通过分子束外延技术、以CdZnTe(111)为衬底生长PbTe外延薄膜,XRD表征表明:PbTe外延薄膜是单晶薄膜,且与衬底具有相同(111)取向,光吸收光谱测量得到外延薄膜的光学吸收边位于3.875μm,光致发光谱显示发光波长位于3.66μm,蓝移是红外激光泵浦导致PbTe温升所致。以PbTe为有源区材料、ZnS薄膜作为钝化和绝缘材料,用AuPtTi合金作为欧姆接触电极,研制了PbTe光电导中红外探测器原型器件,探测器在78K温度下的光电导响应在红外波段的1.5～5.5μm,探测率约为2×109cm·Hz1/2·W-1。最后,对影响探测器工作的因素和改进方法进行了讨论。
- 何展魏晓东蔡春锋斯剑霄吴惠桢张永刚方维政戴宁
- 关键词：PBTE
- PbTe光伏探测器的研制
- Ⅳ-Ⅵ族半导体是一类禁带宽度很窄的化合物半导体材料,由于其独特的物理性质,是应用于红外波段光电探测器的理想材料。本文简要介绍了Ⅳ-Ⅵ族半导体的背景,系统回顾了红外探测器及红外成像系统的发展。在深入研究了光伏探测器的工作原...
- 魏晓东
- 关键词：PBTE光伏探测器中红外
- 文献传递
- PbTe中红外光伏探测器被引量：2
- 2011年
- 利用自主的分子束外延(MBE)技术在CdZnTe(111)基底上生长PbTe半导体探测器材料,通过在PbTe薄膜上沉积In2O3透明导电薄膜、ZnS绝缘保护层和In薄膜做电极,制成PbTe结型中红外光伏探测器.在77 K温度下,器件响应波长为1.5～5.5μm,实验测量的探测率为2×1010 cm.Hz1/2W-1,由R0A值计算的探测器峰值探测率达到4.35×1010 cm.Hz1/2W-1.随着温度的升高,截止波长发生蓝移,探测率降低.分析了影响探测器探测率和R0A值的主要因素.
- 魏晓东蔡春峰张兵坡胡炼吴惠桢张永刚冯靖文林加木林春方维政戴宁
- 关键词：PBTE光伏探测器中红外
