刘健敏
- 作品数：39 被引量：65H指数：5
- 供职机构：景德镇陶瓷学院机械电子工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市教育委员会重点学科基金上海市科委纳米专项基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术医药卫生更多>>
- CdS纳米粒子的制备及其光学特性的研究
- CdS纳米粒子不同于体材料,具有独特的光电特性.当颗粒尺寸小于其激子波尔半径时,产生明显的量子尺寸效应.CdS纳米粒子优异的性能已越来越受到人们的高度重视,在非线性光学器件、太阳能光催化、生物荧光探针等方面应用前景巨大....
- 刘健敏
- 关键词：CDS复合膜光学特性
- 文献传递
- CVD金刚石膜紫外光探测器被引量：2
- 2006年
- 宽禁带半导体金刚石具有许多独特特性,基于此种材料的紫外光探测器能在高温、强腐蚀和强辐射等恶劣环境下工作,成为近年来紫外探测技术研究的重点课题之一。本文综述了CVD金刚石膜紫外光探测器的研究及应用进展。
- 马莹王林军刘健敏楼燕燕夏义本
- 关键词：金刚石膜紫外光探测器
- 工科物理教材与教学模式的研究与实践
- 2004年
- 大学物理是工科院校各专业的共同基础课,怎样使学生学好大学物理课程一直是我们物理教师关心和研究 的课题。本文针对新教材、新体系,提出了在教学中采取多种教学模式并存的教学方式进行教学改革。从而达到提高 教学质量的目的。
- 江惠民曾庆明刘健敏占俐琳
- 关键词：物理教材教学模式教学质量
- CdS及其包裹型纳米颗粒PVA基复合膜的特性研究被引量：2
- 2004年
- 以聚乙烯醇 (PVA)、六偏磷酸钠为分散剂 ,采用溶胶法合成了 Cd S纳米胶体颗粒 ,制备出 Cd S及其包裹型纳米颗粒 PVA基复合膜。通过光子相干光谱粒度仪 (PCS)、紫外 -可见吸收光谱 (UV- VIS)、荧光光谱 (PL)对样品进行了初步表征。结果表明 ,Cd S纳米颗粒 PVA基复合膜的紫外 -可见吸收光谱有明显的蓝移现象 ,所发荧光主要由表面态发射引起 ;包裹型
- 刘健敏张建成倪棋梁沈悦
- 关键词：溶胶法硫化镉复合膜
- GEM探测器的计数性能研究被引量：1
- 2005年
- 采用真空热蒸发法在50μm的聚酰亚胺薄膜上蒸镀5μm^8μm的铜层,并用激光掩模打孔法在其上制备了孔径80μm、孔间距285μm的GEM复合薄膜,成功组装了20mm×20mm的GEM探测器。对GEM探测器在55Fe X射线(5.9keV)辐照下进行了脉冲幅度分布谱测试,讨论了漂移区电场、ΔGEM电场、收集区电场对探测器记数的影响。结果表明,随着漂移区电场的增加,计数先增加后减小,在13kV/cm时达到最大值9.7×104。随着ΔGEM电场的增加,记数呈指数增长,最大可达1.2×104。随着收集区电场的增加,计数增大并趋向饱和,最大可达1.3×105。
- 苏青峰夏义本王林军汪琳刘健敏史伟民
- 关键词：电子倍增器X射线计数
- 液相沉淀法制备HfO_2纳米粉体被引量：3
- 2004年
- 以HfOCl2·8H2O为原料,采用化学沉淀法在不同的pH值下制备HfO2纳米粉体,并对制备的纳米粉体采用XRD,DSC-TG,TEM,BET等方法进行表征。研究了pH值对粉体比表面积、粒径的影响。结果表明:本方法制备的纳米粉体呈简单正交晶型,平均粒径为10nm,粒度分布窄,随着pH值的增加,粉体有比表面积增大,平均粒径减小的趋势,但变化幅度较小。
- 吴智华蒋丹宇刘健敏吉亚明张骋
- 关键词：液相沉淀法化学沉淀法PH
- (Bi,B)/SBA-3复合介孔材料的合成及其水热稳定性探讨被引量：1
- 2004年
- 以十六烷基三甲基溴化铵(cetyltrimethylammonium bromide,CTAB)为模板剂,正硅酸乙酯(tetraethl orthosilicate,TEOS)为二氧化硅源,在酸性条件下加入BiCl3和H3BO3制备了(Bi,B)/SBA(SBA为以学校名称Santa Barbara命名的一种材料)-3介孔氧化硅复合材料。X射线衍射和高分辨率透射电镜结果表明:复合介孔材料具有六方排列的孔道结构;通过N2吸附曲线可知复合介孔材料具有极高的比表面积,孔径主要集中分布在2.4 nm左右;从Fourier红外光谱位于966 cm-1和1 384 cm-1的吸收峰可知,元素B在孔壁中以四配位和三配位的形式存在;从差热分析曲线可看到,随着B,Bi的掺入,在478℃附近出现了不同的放热峰。实验结果表明:由于B,Bi的掺杂不仅在纯的SBA-3的介孔材料中引入了BrΦnsted酸中心,并且进一步改善了材料的有序性和热稳定性。
- 倪棋梁张建成刘健敏沈悦王华
- 关键词：热稳定性氧化硅
- 紫外光探测器的制备方法
- 本发明涉及一种高性能的紫外光探测器的制备方法，属于无机非金属材料器件制造工艺技术领域。本发明方法采用传统的、现有的热丝化学气相淀积装置，在硅片衬底上(100)晶面上淀积金刚石薄膜，再在此金刚石薄膜层上蒸镀一定厚度的金电极...
- 王林军夏义本马莹苏青峰刘健敏
- 文献传递
- EA-HFCVD沉积纳米金刚石膜的光致发光分析(英文)
- 2007年
- 采用电子辅助-热丝化学气相沉积法(EA-HFCVD)在硅片上沉积出晶粒尺寸为30nm的均匀金刚石膜。生长过程中,预先加6A偏流生长1h,然后在0.8kPa条件下,无偏流生长3h。光致发光谱中存在4个发光中心分别位于1.682eV,1,564eV,1,518eV和1.512eV的发光峰。1.682eV处发光峰源于衬底硅原子掺杂于膜中引起的缺陷;其他发光峰源于金刚石晶格振动声子。光致发光强度越大对应的缺陷密度越大,从而降低了场发射域值电场强度,其关键可能源于金刚石膜电导型晶界。
- 祝雪丰王林军胡广刘健敏黄健徐金勇夏义本
- 关键词：光致发光
- 强磁场下金刚石薄膜的制备方法
- 本发明涉及一种强磁场下金刚石薄膜的制备方法，它是先对基片进行预处理，然后放入带有超导磁铁线圈的热丝化学气相沉积装置的真空反应室中，通入氢气和丙酮，经过氢等离子体清洗、表面碳化、偏压增强成核和生长四个过程制得高质量高度定向...
- 夏义本王林军苏青峰刘健敏彭鸿雁
- 文献传递
