张洪伟
- 作品数：7 被引量：24H指数：4
- 供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程电子电信更多>>
- PZT/LaNiO_3/MgO多层结构制备及性能研究被引量：4
- 2007年
- 利用激光脉冲法在MgO衬底上沉积制备LaNiO3(LNO)薄膜作为底电极材料,其上利用射频磁控溅射制备了锆钛酸铅(PZT)铁电薄膜。试验分析了LaNiO3表面结构和形貌,采用快速退火法在不同温度下对样品进行了热处理,发现在500℃即得到(110)取向、晶化完全的PZT薄膜。在5 V测试电压下发现650℃下晶化的样品表现出非常优异的介电和铁电性能,介电常数(rε,)和损耗(tanδ)分别达570和0.05,漏电流在10-9A量级,电滞回线完全饱和且形状对称,剩余极化强度(Pr)和矫顽场(Ec)分别为35.8μC/cm2和76.3 kV/cm。
- 张洪伟张树人黄文刘敬松杨成韬
- 关键词：LANIO3射频磁控溅射
- 锆钛酸铅铁电薄膜电容的研究现状被引量：1
- 2006年
- 介绍了Pb(Zr,Ti)O3,(PZT)铁电薄膜电容的研究现状,列举了不同电极和缓冲层所制备出的PZT铁电薄膜电容的结构,并对不同结构进行了分析比较,结果表明由于氧化物电极材料的各种优越性,已被证明可用于替代现有的金属电极材料,从而有效解决了PZT薄膜铁电性能退化的问题,是未来铁电薄膜电容的发展方向。
- 张洪伟张树人杨艳谢和平相龙成
- 关键词：PZT电容电极材料氧化物
- 薄膜体声波谐振器的研究进展被引量：6
- 2006年
- 薄膜体声波滤波器作为一种发展高频滤波器的全新解决方案,比声表面波滤波器(SAWF)、陶瓷介质滤波器具有更高的Q值,低的损耗和在高频时具备更高的功率承受能力。介绍了薄膜体声波谐振器的研究历史和研究概况,薄膜体声波谐振器的原理和3种典型结构,具体阐述了薄膜体声波谐振器的关键技术及其材料体系的要求。
- 谢和平张树人杨成韬张洪伟叶井红
- 关键词：微电子机械系统薄膜体声波谐振器
- 硅基锆钛酸铅铁电薄膜异质结构的研究进展
- 2006年
- 介绍了锆钛酸铅铁电薄膜异质结构的研究进展,举例说明了锆钛酸铅薄膜异质结构的特性,并进行了分析比较。氧化物电极结构将替代现有的金属电极结构,从而有效解决铁电性能的退化问题,是未来铁电薄膜异质结构的发展方向。
- 张洪伟校峰杨艳
- 关键词：铁电薄膜锆钛酸铅
- 退火对射频磁控溅射氧化锌薄膜性能的影响被引量：2
- 2008年
- 采用射频磁控溅射技术在SiO2／Si上淀积高C轴取向的ZnO薄膜，在氧气和氩气的混合气氛、不同温度（400～900℃）下进行快速热退火处理。利用X-射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）、扫描电镜（SEM）和透射电镜（TEM）对薄膜结构、形貌与界面状态性能进行了分析。研究结果表明，ZnO薄膜的晶粒尺寸随着退火温度的升高而增大，衍射峰强度增强，峰位随之偏移；SEM分析显示薄膜呈柱状生长，表现出较好的C轴取向性；TEM分析表明ZnO与下电极Pt是呈共格生长，晶格匹配很好。
- 谢和平张树人杨成韬张洪伟杨艳
- 关键词：快速热退火ZNO薄膜C轴取向
- 铁电薄膜漏电流研究现状被引量：9
- 2006年
- 铁电薄膜的漏电流问题一直是困扰铁电存储器发展的重要问题。文章介绍了铁电薄膜的主要导电机理如热激发电子电导、空间电荷限制电流(SCLC)、Pool-Frenkel发射、肖特基发射等,影响漏电流大小的主要因素如薄膜厚度、工艺温度、晶粒尺寸、电极材料、搀杂离子等。同时介绍了漏电流对铁电薄膜极化和抗疲劳特性的影响。
- 杨艳张树人刘敬松张洪伟刘蒙
- 关键词：铁电薄膜漏电流导电机理
- PZT/LaNiO_3/LaAlO_3结构制备及性能研究被引量：4
- 2007年
- 利用激光脉冲法在LaAlO3衬底上沉积制备LaNiO3薄膜作为底电极材料,其上利用射频磁控溅射制备了PZT铁电薄膜。试验分析了LaNiO3表面结构和形貌,采用快速退火法在不同温度下对样品进行了热处理,发现在500℃即得到(100)取向、晶化完全的PZT薄膜,而性能测试表明,600℃下晶化的样品表现出非常优异的介电和铁电性能,电滞回线完全饱和而且形状对称,剩余极化和矫顽场分别为28.3μC/cm2和54.1 kV/cm。
- 张洪伟张树人黄文刘劲松杨成韬杜善义
- 关键词：LANIO3PZT射频磁控溅射退火
