李江勇
- 作品数：14 被引量：16H指数：3
- 供职机构：天津理工大学材料物理研究所更多>>
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- 相关领域：理学一般工业技术更多>>
- 绿光量子点电致发光器件及其制备方法
- 本发明公开绿光量子点电致发光器件及其制备方法，本发明以ZnS∶Cu/CaS，CaZnS∶Tb/ZnS绿光量子点为主体发光材料，以PVK为成膜材料，在导电玻璃ITO表面利用旋转涂覆，将原料制成一定厚度的薄膜，得到具有如下结...
- 李岚张晓松韩旭李江勇
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- Mn<Sub>(1－X)</Sub>S:A<Sub>X</Sub>/ZnS核/壳结构量子点及其制备方法
- 本发明公开了一种以ZnS为壳层的Mn<Sub>(1－x)</Sub>S:A<Sub>x</Sub>/ZnS核/壳结构量子点，其特征在于其化学表达式为：Mn<Sub>(1－x)</Sub>S:A<Sub>x</Sub>/Z...
- 李岚张晓松安海萍张艳芳李江勇
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- 高分子网络凝胶法制备ZnO超细粉体及其光学性能被引量：5
- 2008年
- 采用高分子网络凝胶法制备球形ZnO超细粉体。通过聚乙烯醇（PVA）亚浓溶液交联网络的空间位阻作用，经过烧结，获得了具有球形形貌的粒径为1—3μm的ZnO粉体颗粒。利用X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）分析了不同PVA浓度以及退火温度对产物形貌、结构的影响，发现在PVA溶液浓度为5％，并且经500℃热处理所形成的ZnO球形颗粒最为均匀规整。研究了球形ZnO粉体的光致发光性能，室温下经325nm波长激发，观察到两个中心波长分别位于407，468nm的微弱的荧光发射带，在合适温度下，在385nm处还出现了较强的紫外峰。PL光谱表明，退火温度对ZnO的光致发光影响较大，随着退火温度升高，由于表面缺陷和结晶性能发生变化，407nm处发射峰逐渐减弱消失，而紫外发光先增强后减弱，经500℃热处理样品的紫外发光性能达到最佳。
- 李江勇李岚李海燕张晓松庄晋艳
- 关键词：高分子网络凝胶法聚乙烯醇
- ZnO纳米柱的可控生长及其光学性质
- 2009年
- 以高分子聚合物聚乙烯醇（PVA）为软模板，通过PVA与乙酸锌（Zn（CH3COO）2．2H2O）之间发生的离子络合反应，在PVA亚浓溶液所提供的空间位阻力作用下，经过烧结，获得了直径在15—50nm之间的呈放射状簇形排列的ZnO纳米柱．X射线衍射（XRD）表明，所得产物结晶良好，呈六方纤锌矿晶体结构．利用扫描电镜（SEM）和透射电镜（TEM）分析了不同热处理温度对产物形貌的影响，结果显示，随温度从400℃增加到700℃，ZnO纳米柱生长趋势总体趋于明显，同时产物形貌的规整性也明显变好．采用室温下光致发光（PL）光谱对制得的ZnO纳米柱的光学性能研究表明，随着温度升高，ZnO发光性能在逐渐改善，除在384nm处出现了较常见的紫外发射外，PL光谱曲线在354nm处还出现了少见报道的较强的紫外发射峰，显示出良好的紫外发光性能．
- 李江勇李岚徐建萍张晓松李海燕庄晋艳
- 关键词：PVA光致发光光谱
- 单层白光量子点电致发光器件及其制备方法
- 本发明公开了一种单层白光量子点电致发光器件及其制备方法，本发明以ZnS，ZnS∶Cu，ZnS∶Mn三色量子点为主体发光材料，以PVK为成膜材料，在导电玻璃ITO表面利用旋转涂覆，将原料制成一定厚度的薄膜，得到具有如下结构...
- 李岚张晓松李江勇
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- 蓝光量子点电致发光器件及其制备方法
- 本发明公开一种蓝光量子点电致发光器件及其制备方法，本发明以ZnS，CaZnS蓝光量子点为主体发光材料，在导电玻璃ITO表面分别利用旋转涂覆，将原料依次制成一定厚度的薄膜，得到具有如下结构的器件：ITO/PVK(x nm)...
- 张晓松李岚韩旭李江勇安海萍
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- YAGG：Tb，Gd荧光薄膜及其发光性能的研究被引量：7
- 2008年
- 用电子束蒸发方法在ITO基片上生长YAGG:Tb,Gd荧光薄膜,并经不同条件下退火处理。分别用X射线衍射、X射线光电子能谱、扫描电子显微镜、光致发光谱,表征YAGG:Tb,Gd荧光薄膜的结构、成分、形貌、发光性能。实验表明随着温度的升高,薄膜的结晶程度提高,弥补了薄膜晶体表面的表面缺陷,提高了薄膜的光致发光性能,同时发现光致发光谱中的谱线加宽。
- 张晓松董孝义李岚张艳芳李江勇董冬青
- 关键词：GD荧光薄膜电子束蒸发退火处理
- TaVIn<Sub>1－x</Sub>M<Sub>x</Sub>SBrF<Sub>1－y</Sub>I<Sub>y</Sub>∶Re<Sub>z</Sub>,Au<Sub>0.1</Sub>光存储发光材料及其制备方法
- 本发明属于光存储发光材料，特别涉及可用来探测医疗x线诊断影像，工业无损探伤的聚合物表面包覆稀土、镉离子共激活的TaVIn<Sub>1－x</Sub>M<Sub>x</Sub>SBrF<Sub>1－y</Sub>I<Sub...
- 张晓松李岚李江勇张艳芳董冬青奚群
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- Ba<Sub>1－x</Sub>MgLiGaM<Sub>x</Sub>FBr<Sub>1－y</Sub>S<Sub>y</Sub>∶Re<Sub>z</Sub>,Ag<Sub>0.1</Sub>光存储发光材料及其制备方法
- 本发明属于光存储发光材料，特别涉及可用来探测医疗x线诊断影像，工业无损探伤的聚合物表面包覆稀土、银离子共激活的Ba<Sub>1－x</Sub>MgLiGaM<Sub>x</Sub>FBr<Sub>1－y</Sub>S<S...
- 李岚张晓松李江勇张艳芳董冬青庄晋燕
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- 不同形貌ZnO纳米结构的制备及其发光性能研究
- 氧化锌/(ZnO/)是一种重要的直接宽带隙半导体无机材料,具有六角形纤锌矿晶体结构,室温下的带隙宽度约为3.37eV,激子结合能高达60meV。纳米ZnO表现出与体材料明显不同的电学、磁学、光学等性质,这些性质与材料的组...
- 李江勇
- 关键词：ZNO纳米结构水热法光致发光
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