梅霆
- 作品数：22 被引量：8H指数：2
- 供职机构：西北工业大学理学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金广东省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学机械工程电子电信轻工技术与工程更多>>
- 一种测量荧光粉的PL光谱及PLE光谱的测试系统
- 本发明公开了一种用于测量荧光粉PL光谱及PLE光谱的测试系统，该测试系统引入了双重调制，包括飞秒激光器、锁相放大器、光栅光谱仪、光功率计和光路器件。其中，光路器件包括反射镜、透镜、衰减片和分束镜。所述飞秒激光器出射的激光...
- 梅霆郭克芹戴阳张新亮万磊
- 文献传递
- 一种半导体外延结构及其发光器件
- 本发明公开了一种半导体发光器件的外延结构，包括电子注入区、空穴注入区、多量子阱有源区、阻挡载流子的势垒层以及一个或多个带边整形层。该带边整形层的掺杂类型和/或掺杂浓度与其相邻层有差异，可通过调整其掺杂类型、掺杂浓度和/或...
- 梅霆王乃印李浩万磊
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- 一种LED荧光粉预制膜的制造方法
- 本发明公开了一种LED荧光粉预制膜的制造方法，包括以下步骤：选择薄膜片和表面平滑的衬底，利用机械切割或激光切割在薄膜片上制作预制腔，将带有预制腔的薄膜片粘接压紧在衬底表面；将荧光粉和粘合剂按(0.1～1)∶1的质量比均匀...
- 梅霆李旋万磊郭克勤朱凝
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- 一种半导体外延结构及其发光器件
- 本发明公开了一种半导体发光器件的外延结构，包括电子注入区、空穴注入区、多量子阱有源区、阻挡载流子的势垒层以及一个或多个带边整形层。该带边整形层的掺杂类型和/或掺杂浓度与其相邻层有差异，可通过调整其掺杂类型、掺杂浓度和/或...
- 梅霆王乃印李浩万磊
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- 结合椭圆偏振光谱与傅里叶红外光谱的宽禁带半导体薄膜光学特性表征（英文）
- 2016年
- 宽禁带半导体薄膜,包括碳化硅,氮化镓和氧化锌及其化合物以及异构体,带隙普遍在3.2eV以上,一阶声子特征峰在100至1500cm^(-1)之间。确定能带宽度和声子特征峰有很多方法,比如光致发光、拉曼散射、光学透射谱等,我们提出了一种结合椭圆偏振光谱与红外傅里叶反射谱进行传输矩阵分析的方法,能够同时确定从紫外波段(约250nm)到远红外波段(约22000nm)的薄膜材料色散关系和膜厚。我们构建了基于谐振子的光学函数模型,并论证这个模型很适合用于模拟由各种不同波长入射光波造成的共振吸收。
- 谢灯丘志仁万玲玉TIN Chin-che梅霆冯哲川
- 关键词：椭圆偏振光谱傅里叶红外光谱
- 一种测量荧光粉的PL光谱及PLE光谱的测试系统
- 本发明公开了一种用于测量荧光粉PL光谱及PLE光谱的测试系统，该测试系统引入了双重调制，包括飞秒激光器、锁相放大器、光栅光谱仪、光功率计和光路器件。其中，光路器件包括反射镜、透镜、衰减片和分束镜。所述飞秒激光器出射的激光...
- 梅霆郭克芹戴阳张新亮万磊
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- 集成光子芯片应用中表面等离子结构的研究
- 表面等离极化激元(surface plasmon polariton,SPP)是沿金属-介质界面传播的电磁波,具有高度局域化的场分布,适合用来进行纳米尺度的光操控,在亚波长光学、数据存储、显微术和生物光子学等方面受到重视...
- 梅霆
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- 铝预处理对硅衬底上AlN缓冲层与GaN外延层的影响
- 本文研究了三甲基铝(TMAI)预处理时间对硅衬底上生长GaN的影响。结果表明，没有TMAI预处理，样品的AIN缓冲层以及GaN外延层质量都比较差，通过控制预处理时间，得到表面光滑无裂纹的GaN外延层。然而，过长时间TMA...
- 曹健兴李述体范广涵章勇尹以安郑树文梅霆苏军
- 关键词：GAN外延层金属有机化学气相淀积X射线衍射硅衬底
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- 一种全聚合物平面光路的制作方法
- 本发明公开了一种全聚合物平面光路的制作方法，包括步骤：（1）利用紫外光刻与深刻蚀工艺获得初始原模，之后用电化学沉积的方法复制金属镍模具，然后采用微型模塑的方法制作聚合物微结构零件；（2）采用热退火工艺对零件进行分段处理，...
- 梅霆万磊李旋朱凝
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- P型InGaN/GaN超晶格的光学和电学性质研究
- 本文应用MOCVD系统,通过霍尔、电化学C-V、XRD、PL等测量手段,详细的研究了P型InGaN/GaN超晶格中阱和垒的掺镁量与载流子浓度关系,并优化出最佳的掺镁量。同时还比较了阱不掺镁而垒掺镁的样品与阱和垒都掺镁的样...
- 尹以安李述体梅霆范广涵周天明
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