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ZnGeP_2晶体近红外吸收特性的研究被引量：3: 2010年; 采用布里奇曼法生长了磷化锗锌晶体,晶体毛坯尺寸达φ20mm×90mm,选取晶体尾部、晶体中部、籽晶端三个部位厚度为4.0mm的抛光晶片作为测试样品.从实验和理论上研究与分析了晶体的近红外吸收特性.实验结果显示:晶体透过率由尾部至近籽晶端逐渐增大,表明晶体近红外吸收由尾部至近籽晶端逐渐减小,这是由于晶体内缺陷密度发生了改变,且晶体内本征点缺陷分布比例不均衡,进而导致晶体的近红外吸收产生差异.理论上计算了磷化锗锌晶体施主缺陷GeZn+和受主缺陷V-Zn的吸收光谱.计算结果表明:受主缺陷V-Zn对磷化锗锌晶体吸收光谱产生的影响大于施主缺陷GeZn+.; 夏士兴杨春晖朱崇强马天慧王猛雷作涛徐斌; 关键词：近红外吸收缺陷密度

ZnGeP_2晶体点缺陷的研究进展被引量：2: 2008年; ZnGeP_2晶体是具有重要应用背景的红外非线性光学材料.晶体中的点缺陷严重限制了ZnGeP_2晶体的应用发展.本工作介绍了ZnGeP_2晶体点缺陷的最新研究进展情况.首先,利用电子顺磁共振技术研究了ZnGeP_2晶体的点缺陷.主要存在缺陷是受主缺陷V_(Zn)^-及施主缺陷V_P^0和Ge_(Zn)^+,其相应的缺陷能级分别为E(V_(Zn)^-)=Ec-(1.02±0.03)eV,E(V_P^0)=Ev+(1.61±0.06)eV和E(Ge_(Zn)^+)=Ev+(1.70±0.03)eV.对晶体作了电子照射及高温退火等处理后,又分别发现了两种缺陷V_(Ge)^(3-)和V_P^0其次,利用全势能线性muffin-tin轨道组合法模拟研究了ZnGeP_2晶体的点缺陷.主要存在缺陷及缺陷能级的计算结果与实验结果基本一致,但由于理论模拟与实际情况还存在差距,有些计算结果与实验结果相矛盾.因此,将实验与理论有机结合研究晶体的点缺陷是今后研究的重点.; 朱崇强杨春晖王猛夏士兴马天慧吕维强; 关键词：电子顺磁共振密度泛函理论

ZnGeP_2晶体的合成与生长被引量：3: 2009年; 采用双温区法合成ZnGeP2多晶料;采用布里奇曼法生长ZnGeP2单晶,晶体尺寸为φ22×90 mm^2。晶体透光范围0.7-12.0μm,平均透过率达到56%;OPO光参量震荡器件尺寸6×6×15 mm^3,采用2μm的泵浦光,产生4W以上的3.8-4.5μm激光输出。; 杨春晖王猛夏士兴孙亮朱崇强吕维强姚宝权王月珠; 关键词：透过率

双温区合成法制备ZnGeP_2多晶材料(英文)被引量：5: 2009年; 合成高纯及化学计量比的ZnGeP2多晶材料是生长高质量ZnGeP2单晶的关键。但由于P在高温下蒸气压高,Zn和P易挥发等因素,使合成化学计量比ZnGeP2多晶材料存在一定困难。采用双温区合成法制备了ZnGeP2多晶材料,用X射线粉末衍射分析了反应过程中在炉内温度梯度区间生成的中间产物和在高温区末端石英管壁上的少量沉淀。结果表明:温度梯度区间生成的中间产物中ZnP2含量为95.45%(体积分数,下同),Zn3P2含量为4.55%。高温区末端石英管壁上的沉淀中ZnP2含量为40%,ZnGeP2含量为60%,Zn和P的挥发导致合成的ZnGeP2多晶体中富含Ge。通过调节高温区的温度和降温速率,可有效地控制组分挥发,得到化学计量比的ZnGeP2多晶材料。; 王猛杨春晖雷作涛夏士兴孙亮; 关键词：化学计量比

大尺寸ZnGeP_2晶体生长与中红外光参量振荡被引量：5: 2011年; 采用垂直布里奇曼方法生长了ZnGeP2单晶体,晶体毛坯尺寸达30 mm×120 mm。晶体在2.05μm吸收系数0.05cm-1,3-8μm吸收系数0.01 cm^-1,光损伤阈值2.0±0.3 J/cm2。利用2.05μmTm,Ho∶CdVO4激光器为泵浦源,脉冲重复频率10 kHz。当泵浦功率16.3 W时,3-5μm光参量振荡输出8.7 W,光-光转换效率为53%,斜率效率为64%。; 夏士兴雷作涛王猛杨春晖李纲姚宝权; 关键词：光参量振荡

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王猛