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赵利利

作品数:12 被引量:1H指数:1
供职机构:四川大学更多>>
发文基金:中国人民解放军总装备部预研基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术化学工程更多>>

文献类型

  • 6篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 3篇会议论文

领域

  • 3篇理学
  • 2篇化学工程
  • 2篇一般工业技术

主题

  • 4篇镀膜
  • 4篇蒸发设备
  • 4篇碳化硼
  • 4篇膜料
  • 4篇TIO2薄膜
  • 3篇电子束蒸发
  • 3篇TIO_2薄...
  • 3篇衬底
  • 2篇电子束
  • 2篇氧化钛薄膜
  • 2篇栅介质
  • 2篇折射率
  • 2篇蒸发制备
  • 2篇钛矿
  • 2篇微球
  • 2篇晶态
  • 2篇化合价
  • 2篇基片
  • 2篇基片温度
  • 2篇二氧化钛薄膜

机构

  • 12篇四川大学
  • 2篇中国科学院

作者

  • 12篇廖志君
  • 12篇刘成士
  • 12篇赵利利
  • 10篇伍登学
  • 7篇卢铁城
  • 6篇范强
  • 4篇王自磊
  • 2篇胡又文
  • 2篇刘振良
  • 2篇杨水长

传媒

  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇四川大学学报...
  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 1篇2011
  • 3篇2010
  • 4篇2009
  • 4篇2008
12 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
电子束蒸发技术制备微球碳化硼薄膜的方法与装置
一种电子束蒸发技术制备微球碳化硼薄膜的方法,将碳化硼膜料放到电子束蒸发设备的坩埚中,将清洗、干燥后的微球形衬底放到三维沉积装置的筛网反弹盘里,使微球形衬底位于坩埚正上方20cm~30cm处;在真空条件进行镀膜,镀膜真空度...
廖志君范强王自磊刘成士赵利利卢铁城
文献传递
TiO<Sub>2</Sub>作为MOS结构的栅介质及其栅介质制备方法
本发明涉及一种MOS结构的栅介质TiO<Sub>2</Sub>薄膜及其制备方法,属于半导体器件制作领域。该方法是利用TiO<Sub>2</Sub>代替传统SiO<Sub>2</Sub>作为MOS结构的栅介质,采用电子束蒸...
刘成士赵利利伍登学廖志君范强王自磊胡又文
文献传递
TiO<Sub>2</Sub>作为MOS结构的栅介质及其栅介质制备方法
本发明涉及一种MOS结构的栅介质TiO<Sub>2</Sub>薄膜及其制备方法,属于半导体器件制作领域。该方法是利用TiO<Sub>2</Sub>代替传统SiO<Sub>2</Sub>作为MOS结构的栅介质,采用电子束蒸...
刘成士赵利利伍登学廖志君范强王自磊胡又文
文献传递
Si衬底上沉积TiO2薄膜结构及成分分析
在这里我们采用电子束蒸发沉积的方法制备Ti O薄膜,并利用XRD和傅立叶红外吸收谱等方法研究其不同工艺下薄膜的结构和成分。通过XRD分析发现,衬底保持在常温,在适当的束流下会出现杂晶,甚至
刘成士伍登学赵利利廖志君
文献传递
TiO_2薄膜成分和结构分析及其对折射率的影响
2009年
在硅衬底上利用电子束蒸发沉积了TiO2薄膜,利用椭圆偏振仪测量了不同沉积温度下的TiO2薄膜的折射率,发现其折射率随着沉积温度的升高而升高。利用X射线衍射(XRD)仪对这些薄膜的结构进行表征,发现折射率高的样品其结晶化程度也高。利用X射线光电子能谱(XPS)和傅立叶红外吸收谱(FT-IR)相结合的方法对薄膜的成分进行分析,发现内部存在低价态的钛氧化物,使薄膜的折射率明显低于固体块材料的折射率。
刘成士伍登学赵利利廖志君卢铁城
关键词:TIO2薄膜折射率电子束蒸发
利用电子束蒸发制备高K介质TiO_2薄膜被引量:1
2011年
利用电子束蒸发在不同的衬底温度和蒸发束流下制备了TiO_2薄膜,利用椭圆偏振仪测出了不同工艺条件下薄膜的厚度和折射率;利用高频CV曲线研究了制备工艺条件对TiO_2薄膜的电容特性的影响,发现衬底温度和蒸发束流严重影响TiO_2薄膜的CV曲线特性;最后利用XPS(X射线能谱)和FI—IR(傅立叶红外吸收)相结合的方法对TiO_2薄膜的成分进行了分析,发现在与硅交界处存在一个亚稳态的过渡层,其成分是低价态的TiO_x(x<2)和SiO_y(y<2).
刘成士伍登学赵利利廖志君
关键词:TIO2薄膜电子束蒸发
TiO2薄膜成分和结构分析及其对折射率的影响
在硅衬底上利用电子束蒸发沉积了TiO2薄膜,利用椭圆偏振仪测量了不同沉积温度下的TiO2薄膜的折射率,发现其折射率随着沉积温度的升高而升高。利用X射线衍射(XRD)仪对这些薄膜的结构进行表征,发现折射率高的样品其结晶化程...
刘成士伍登学赵利利廖志君卢铁城
关键词:二氧化钛薄膜化学成分折射率
电子束蒸发技术制备碳化硼薄膜的方法
一种电子束蒸发技术制备碳化硼薄膜的方法,将碳化硼膜料放到电子束蒸发设备的坩埚中,将清洗、干燥后的基片放到电子束蒸发设备的加热电炉上,使基片位于坩埚正上方20cm~30cm处;在真空条件进行镀膜,镀膜真空度不小于6.0×1...
廖志君刘振良杨水长卢铁城伍登学范强刘成士赵利利
文献传递
电子束蒸发制备二氧化钛薄膜的过渡层性质分析
本文利用透射电子显微镜、X射线光电子能谱、红外吸收光谱和椭圆偏振仪等现代测试手段研究了基片温度、沉积速率、真空度等因素的改变对Ti O2薄膜和过渡层的成份、结构和折射率的影响规律,并建立
赵利利伍登学刘成士廖志君
文献传递
电子束蒸发技术制备碳化硼薄膜的方法
一种电子束蒸发技术制备碳化硼薄膜的方法,将碳化硼膜料放到电子束蒸发设备的坩埚中,将清洗、干燥后的基片放到电子束蒸发设备的加热电炉上,使基片位于坩埚正上方20cm~30cm处;在真空条件进行镀膜,镀膜真空度不小于6.0×1...
廖志君刘振良杨水长卢铁城伍登学范强刘成士赵利利
文献传递
共2页<12>
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