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FeFET存储器用BDT与BYT铁电薄膜的制备及性能研究: 随着现代科技的发展，对非挥发存储器(如铁电场效应晶体管FeFET存储器)的需求与日俱增，从而导致了对新的存储器材料的研究与探索的热潮。目前用于制备FeFET的铁电薄膜材料体系仍以锆钛酸铅(PZT)系为主，PZT薄膜具有一...; 成传品; 关键词：铁电材料铁电薄膜铁电性能; 文献传递

(Bi,Yb)_4Ti_3O_(12)铁电薄膜的制备: 2006年; 采用稀有金属镱元素对钛酸铋进行掺杂,以期获得性能较好的(Bi,Yb)4Ti3O12铁电薄膜。采用溶胶-凝胶旋涂法在p型Si(100)基底上成功地沉积出(Bi3.4,Yb0.6)Ti3O12[BYT]铁电薄膜。用X射线衍射法对其结构及其成份进行了表征,用铁电分析仪(RT66A)测试了其铁电性。并就影响BYT薄膜铁电性能的因素进行了分析。; 成传品唐明华叶志钟向丽郑学军周益春; 关键词：溶胶-凝胶

Bi3.5Nd0.5Ti3O12铁电薄膜的极化疲劳研究: 2018年; 采用溶胶–凝胶法在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)基底上沉积了Bi3.5Nd0.5Ti3O12(BNT)铁电薄膜。采用铁电分析仪测试铁电极化(P-E)特性、疲劳特性以及漏电流(J-V)特性。结果表明:极化翻转次数越多,驱动电场的频率越低,驱动电场的幅度越大,Bi3.5Nd0.5Ti3O12铁电薄膜的极化疲劳行为越显著。; 曾庆丰王明福成传品邓永和; 关键词：BNT 铁电薄膜

氮气中退火制备(Bi,Dy)_4Ti_3O_(12)铁电薄膜被引量：1: 2007年; 采用化学溶液沉积法(CSD)将Bi3.4Dy0.6Ti3O12(BDT)前驱体溶液沉积在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(111)基底上,然后在氮气环境中分别于600℃、650℃、700℃和750℃四个温度下退火,成功地制作出BDT铁电薄膜.用X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)等分别对其表面形貌、结构及其成份进行了表征;用铁电分析仪测试了其铁电性能.随着退火温度的升高,薄膜的晶粒尺寸逐渐增大,但其剩余极化不是随着退火温度的升高而单调增加.氮气中650℃退火的BDT铁电薄膜结晶良好,并且具有最大的剩余极化值(2Pr=7.8μC/cm2;Ec=95.7 kV/cm).另外,就温度对BDT铁电薄膜性能的影响机理进行了讨论.; 成传品唐明华叶志周益春; 关键词：铁电薄膜退火铁电性

铁性薄膜材料的制备及磁电性能表征: 铁磁性材料、铁电性材料、铁弹性材料以及同时拥有多种铁性的多铁性材料，都属于铁性材料，这是一大类数量相当庞大的非常重要的先进功能材料。本文以铁性材料为研究对象，首先对铁电性材料、铁磁性材料和多铁材料进行了简要的介绍，讨论了...; 成传品

Bi_(3.5)Yb_(0.5)Ti_3O_(12)铁电薄膜的制备及性能: 2010年; 采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)基片上淀积了Bi3.5Yb0.5Ti3O12(BYT)铁电薄膜,研究了在不同退火温度下形成的BYT薄膜的微观结构以及铁电性能方面的区别。结果发现,在610,660,710和760℃不同温度下退火的BYT薄膜的结晶度不同,退火温度越高的BYT薄膜,其结晶度越高。并且发现,BYT薄膜的剩余极化值(2Pr)在710℃以下随退火温度增高而增大,在710℃达到最大;在外加400kV/cm电场时2Pr为36.7μC/cm2,然后随退火温度上升又有所下降。; 成传品邓永和戴雄英肖刚; 关键词：溶胶-凝胶铁电薄膜铁电性能结晶度

预退火气氛对BDT铁电薄膜性能的影响: 2011年; 介绍了溶胶-凝胶法制备掺Dy元素的Bi4Ti3O12(Bi3.4Dy0.6Ti3O12,BDT)薄膜的工艺过程,并研究了不同预退火气氛对沉积在Pt/Ti/SiO2/Si基片上的BDT薄膜铁电性能的影响。空气中的预退火,薄膜中的H,C等有机成分分解不彻底,有部分残留在薄膜中;而O2气氛下的预退火,由于O2充足,薄膜中的有机成分可以完全分解。退火过程中BDT薄膜晶粒的生长和取向可以受到残留的有机成分的影响,进而对BDT薄膜的铁电性有较为显著的影响。在外加400kV/cm的电场时,空气中预退火的BDT薄膜的剩余极化(2Pr)值和矫顽场(Ec)分别为26.37μC/cm2和114.2kV/cm,而O2气氛下预退火的BDT薄膜的2Pr和Ec分别为36.28μC/cm2和113.6kV/cm,表明O2气氛下预退火可显著提高BDT薄膜的剩余极化值,改善其铁电性能。; 成传品邓永和; 关键词：溶胶-凝胶预退火铁电性

Influence of pyrolysis temperature on ferroelectric properties of La and Mn co-doped BiFeO_3 thin films被引量：1: 2012年; Bi0.9La0.1Fe0.95Mn0.05O3 （BLFMO） ferroelectric thin films were fabricated on Pt/Ti/SiO2/Si/ substrates by the sol-gel process at different pyrolysis temperatures. The mass loss of BLFMO powder was investigated by thermo gravimetry analyser （TGA）, and the polycrystalline structure and smooth surface of BLFMO thin films were characterized by X-ray diffraction （XRD） and atomic force microscopy （AFM）, respectively. The remnant polarization （Pr） of the BLFMO films pyrolyzed at 420 ℃ is 21.2 μC/cm2 at the coercive field （Ec） of 99 kV/cm and the leakage current density is 7.1×10-3 A/cm2, which indicates that the BLFMO thin films display relatively good ferroelectric property at this temperature.; 成传品蒋波唐明华杨松波肖永光王国阳周益春; 关键词：FERROELECTRICS

(Bi,Yb)_4Ti_3O_(12)薄膜退火研究: 2007年; 采用溶胶-凝胶旋涂法在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)基底上成功地沉积出(Bi,Yb)4Ti3O12[Bi3.4Yb0.6Ti3O12,BYT]铁电薄膜。系统地研究了退火温度对BYT铁电薄膜的晶体结构、表面形貌以及铁电性能(剩余极化强度)的影响。揭示了退火温度对BYT薄膜的晶体结构、表面形貌以及铁电性能有着明显的影响,给出了最佳退火温度为700℃左右。; 成传品唐明华叶志周益春郑学军; 关键词：溶胶-凝胶退火温度铁电性

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