王晓梅
- 作品数：2 被引量：4H指数：1
- 供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家重点实验室开放基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 用于微测辐射热计氮化硅薄膜特性与结构研究被引量：1
- 2010年
- 氮化硅(SiNx∶H)薄膜通常用作微测辐射热计焦平面阵列的支撑层、绝缘或隔热层。通过射频等离子体增强化学气相沉积(PECVD)制备了富硅型(0.80≤x≤1.16)氮化硅薄膜,利用X射线光电子能谱(XPS)和傅里叶红外透射光谱(FTIR)分析了薄膜的微观结构。发现薄膜内部保存了Si3N4基本结构单元,除此之外,波数位于790,820和950 cm-1的Si-N键的伸缩振动峰分别对应为Si3-Si-N,N2-Si-H2,及H-Si-N3结构单元;运用曲率方法测量了不同硅烷(SiH4)流量条件下制备的氮化硅薄膜样品的残余应力,发现薄膜应力一般表现为张应力,但随着硅烷流量的增大,薄膜的张应力减小。理论分析发现,H-Si-N3结构单元使薄膜呈现张应力,而Si3-Si-N结构单元以及Si-Si键相对地表现为压应力。因此,通过优化制备工艺,获取理想的薄膜微观结构,能更理性地调控薄膜的残余应力。
- 周东许向东王志王晓梅蒋亚东
- 关键词：氮化硅薄膜残余应力微观结构
- 氮化硅薄膜的应力与性能控制被引量：3
- 2010年
- 提出一种通过构建特殊的多层膜结构的方法,降低SiNx薄膜的残余应力。曲率和拉曼两种测量结果都表明,通过引入一层240nmSiO2薄膜,可以使SiNx薄膜的残余应力从高的张应力(+358MPa)明显地降低到低的压应力(-57MPa)。重要的是,这种应力的改变能够使薄膜在光学带隙保持不变的情况下,SiNx薄膜的折射率发生增大,取得常规方法难以达到的效果。遗憾的是,该过程同时使SiNx薄膜的杨氏模量和硬度等力学性能减弱。此外,还把相关结果与常规方法调控SiNx薄膜应力的结果相比较。证明了通过改变SiN薄膜的应力可以调控薄膜的其它物理性能。
- 周东许向东王志王晓梅蒋亚东
- 关键词：残余应力光学带隙折射率
