聂小明
- 作品数：3 被引量：13H指数：1
- 供职机构：桂林理工大学材料科学与工程学院有色金属及材料加工新技术教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金广西壮族自治区科学研究与技术开发计划国家科技部科技人员服务企业行动项目更多>>
- 相关领域：一般工业技术金属学及工艺化学工程更多>>
- 热处理工艺对超声电沉积制备CuInSe_2薄膜的影响被引量：1
- 2011年
- 采用三电极系统,在超声辅助下,以Mo薄片为柔性基底制备了CuInSe2(CIS)前驱体薄膜,经热处理得到了具有黄铜矿型晶体结构的CIS薄膜。研究了热处理温度,保温时间和升温速率对CuInSe2薄膜成分、物相及形貌的影响。结果表明:热处理使薄膜物相变得纯净,随着热处理温度的提高、保温时间的延长和升温速率的减慢,结晶度提高。温度过高、时间过长制备的CIS薄膜表面有大颗粒出现以至表面粗糙度增加、颗粒不均匀。
- 邹正光聂小明龙飞陈壁滔
- 关键词：CUINSE2热处理温度保温时间升温速率
- 超声辅助对CuInSe薄膜电沉积制备的影响
- 本文采用三电极系统,以钼片为工作电极,大面积铂网为辅助电极,饱和甘汞电极为参比电极,以氯化铜、氯化铟、氯化镓、亚硒酸为原料,以无水乙醇为溶剂,在超声环境下,在Mo薄片柔性基底上采用一步电沉积法制备CuInSe薄膜前躯体,...
- 聂小明龙飞陈壁滔邹正光
- 关键词：三电极系统电沉积法前躯体
- 文献传递
- 溶剂热合成CuInS_2纳米粉体及薄膜的制备被引量：12
- 2010年
- 本文以氯化铜、氯化铟、硫脲为原料,以乙二醇为溶剂,采用溶剂热法在常压下合成了片状的CuInS2（C IS）纳米粉体。研究了合成温度、合成时间、溶液浓度对合成产物C IS物相和形貌的影响。采用涂覆工艺对粉体成膜,研究了热处理对C IS薄膜的影响。采用X射线衍射（XRD）、场发射扫描电镜（FESEM）及能谱仪（EDS）对合成产物进行了分析表征。研究结果表明：随着合成温度的升高和合成时间的延长,合成粉体的纯度提高。随着溶液浓度的增大,衍射峰出现宽化现象,合成粉体的粒径变小。在合成温度为195℃,保温时间为12 h,反应溶液浓度为氯化铜0.02 mol/L、氯化铟0.02 mol/L、硫脲0.04 mol/L的条件下,制备得到单一的C IS片状纳米粉体,片状颗粒的大小为200~500 nm,最终经过热处理能获厚度在5~8μm左右的相对致密的C IS薄膜。
- 邹正光陈壁滔龙飞谢春艳聂小明
- 关键词：溶剂热纳米粉体
