刘少卿
- 作品数：9 被引量：5H指数：1
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信文化科学理学更多>>
- 一种提高电子束曝光效率的方法
- 本发明公开了一种提高电子束曝光效率的方法，该方法利用电子束曝光中的邻近效应，在曝光的版图设计时利用平行间隔线条曝光图形取代大面积曝光图形，使实际曝光图形只占大面积曝光图形的一半，从而有效的降低了电子束曝光的面积，减少了电...
- 王秀平杨晓红韩勤王杰刘少卿
- 文献传递
- 一种制作可调谐共振腔增强型探测器中间P型电极的方法
- 本发明公开了一种制作可调谐共振腔增强型探测器中间P型电极的方法，包括：在砷化镓衬底上生长波长可调谐共振腔增强型探测器的外延片；清洗外延片，并对外延片进行第一次光刻，获得单悬臂的光刻胶掩膜图形；对外延片进行腐蚀，腐蚀出所要...
- 王杰韩勤杨晓红王秀平刘少卿
- 文献传递
- 高特性GaAs基异变谐振腔增强型1.55μmInGaAs光电探测器
- 本文报道了一种GaAs基顶部入射的异变谐振腔增强型(RCE)1.55μm InGaAs部分耗尽吸收探测器(PDA-PD)。器件的外延结构由分子柬外延系统(MBE)生长。底镜和顶镜分别是由20对AlAs/GaAs分布布拉格...
- Shaoqing Liu刘少卿Qin Han韩勤Xiaohong Yang杨晓红Haiqiao Ni倪海桥Jifang He贺继方Xin Wang王欣Bin Li李彬牛智川
- 关键词：光电探测器化合物半导体性能评价
- 高速高效光电探测器的制备、测试及特性分析被引量：4
- 2012年
- 报道了一种垂直入射的InP基InGaAs pin光电探测器,介绍了它的制备和测试方法并对器件所展示出的高效,高速,高线性度特性进行了分析。器件的暗电流密度在0和-5V偏压时分别为1.37×10-5 A/cm2和93×10-5 A/cm2;在1.55μm波长,-3V偏压下,器件的线性光响应高达28mW,相应的最大线性电流为17mA,响应度达到0.61A/W(无减反射膜);在-5V偏压下,器件获得高达17.5GHz的3dB带宽。
- 刘少卿韩勤杨晓红刘宇王杰王秀平
- 关键词：光学器件PIN探测器INGAAS
- 一种提高电子束曝光效率的方法
- 本发明公开了一种提高电子束曝光效率的方法，该方法利用电子束曝光中的邻近效应，在曝光的版图设计时利用平行间隔线条曝光图形取代大面积曝光图形，使实际曝光图形只占大面积曝光图形的一半，从而有效的降低了电子束曝光的面积，减少了电...
- 王秀平杨晓红韩勤王杰刘少卿
- 一种制作可调谐共振腔增强型探测器中间P型电极的方法
- 本发明公开了一种制作可调谐共振腔增强型探测器中间P型电极的方法，包括：在砷化镓衬底上生长波长可调谐共振腔增强型探测器的外延片；清洗外延片，并对外延片进行第一次光刻，获得单悬臂的光刻胶掩膜图形；对外延片进行腐蚀，腐蚀出所要...
- 王杰韩勤杨晓红王秀平刘少卿
- 一种制备量子点场效应晶体管列阵的方法
- 本发明公开了一种制备量子点场效应晶体管列阵的方法，包括：选择外延片，在外延片上涂光刻胶，对外延片腐蚀出台面，形成源漏沟道，其中同一行的源极在光刻时连在一起；在源极和漏极蒸镀电极，进行电极退火形成源漏与导电沟道的欧姆接触；...
- 聂诚磊杨晓红王秀平王杰刘少卿李彬杨怀伟尹伟红韩勤
- 文献传递
- 平面型APD抑制边缘击穿的方法研究被引量：1
- 2012年
- 雪崩光电二极管(APD)作为一种具有内部增益的光电探测器,被广泛地应用于光纤通信领域,其中平面型APD具有暗电流低、可靠性高等优点而被大量研究。但是平面型APD边缘处由于高电场易被提前击穿,影响器件性能。文章对抑制平面型APD边缘击穿的不同方法进行了综述,指出它们的结构差别,并重点介绍保护环法的原理及保护环各个参数的优化。
- 杨怀伟韩勤杨晓红李彬王秀平王杰刘少卿
- 关键词：雪崩光电二极管保护环参数优化
- 高特性GAAS基异变谐振腔增强型1.55μMINGAAS光电探测器
- 本文报道了一种GAAS基顶部入射的异变谐振腔增强型(RCE) 1.55μM INGAAS部分耗尽吸收探测器(PDA-PD).器件的外延结构由分子柬外延系统(MBE)生长.底镜和顶镜分别是由20对ALAS/GAAS分布布拉...
- 刘少卿韩勤杨晓红倪海桥贺继方王欣李彬牛智川
- 关键词：GAASINGAAS谐振腔增强型
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