司美菊
- 作品数：18 被引量：25H指数：4
- 供职机构：中国电子科技集团第二十六研究所更多>>
- 发文基金：国防基础科研计划更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术电气工程更多>>
- 三维纳米结构声表面波气敏传感器
- 本实用新型涉及三维纳米结构声表面波气敏传感器，包括压电基底，置于该压电基底表面且相互平行的输入叉指电极IDT1和输出叉指电极IDT2以及敏感区，敏感区位于输入叉指电极IDT1和输出叉指电极IDT2之间，敏感区上具有三维纳...
- 王露杨靖马晋毅杜波江洪敏司美菊王登攀祖小涛李志杰唐永亮
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- 二氟化氙释放牺牲层多晶硅刻蚀速率研究
- 2016年
- 该文研究了相关工艺参数对二氟化氙(XeF_2)干法释放多晶硅的释放速率的影响。结果表明,对于薄膜体声波谐振器(FBAR)悬臂结构,腔室压力不变时,随着载气N_2流量的增大,刻蚀速率先增加后减少,刻蚀速率最大值为10.3μm/min;载气N2流量不变时,腔室压力越大,工艺腔室参与刻蚀反应的XeF_2气体的浓度增大,刻蚀速率越大。当腔室压力超过1 200Pa时,随着腔室压力的增加,刻蚀速率的增长率逐渐减小。
- 司美菊杜波田本朗徐阳金成飞蒋欣江洪敏马晋毅
- 关键词：空气隙干法刻蚀刻蚀速率粗糙度
- 一种多层薄膜结构的声表面波滤波器
- 本发明涉及一种声表面波器件，涉及一种多层薄膜结构的声表面波滤波器；所述滤波器包括压电层和所述压电层上方梳状设置的金属指条，在所述压电层下方设置有功能层，在所述功能层下方设置有高声速层，在所述高声速层下方设置有支撑衬底。包...
- 彭霄蒋平英何西良罗旋升谢东峰司美菊杨彬彬黎妮罗丹刘春雪
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- 一种压电薄膜换能器用WSiAlN薄膜及其制备方法
- 本发明提供一种压电薄膜换能器用WSiAlN薄膜及其制备方法，该压电薄膜换能器用WSiAlN薄膜包括底电极以及位于底电极上的压电薄膜，底电极采用WSi材料制成，压电薄膜采用AlN材料制成。本发明通过采用WSi材料制成底电极...
- 欧黎徐阳江洪敏司美菊姜华男张永川马晋毅龙飞杜波蒋欣金成飞田本朗
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- 一种应用于声表面波滤波器晶圆级封装的耐模压加强结构
- 本实用新型公开了一种应用于声表面波滤波器晶圆级封装的耐模压加强结构，包括晶片，在晶片工作表面粘贴有PI膜，PI膜的镂空部位形成腔体和通孔，PI膜的其余部位构成墙结构；通孔内填充有金属以形成电极通道，在腔体开口上封盖有封板...
- 金中谢晓司美菊谢东峰罗璇升
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- 薄膜体声波谐振器调频工艺研究被引量：5
- 2018年
- 薄膜体声波器件具有体积小及性能高等优势,相关产品已被广泛应用于移动通信市场。薄膜体声波谐振器(FBAR)电极层和压电层等声学层的厚度、材料是影响谐振频率的主要因素。该文分析了FBAR调频的必要性、原理及扫描刻蚀的工作方式,研究了调频层薄膜在不同刻蚀功率时对器件频率的影响。通过对FBAR器件进行调频,频率均匀性提高了6.5倍,频率分散性得到显著改善。
- 彭兴文徐阳杜波张永川司美菊刘娅何西良卢丹丹
- 关键词：薄膜体声波谐振器调频离子束
- SAW滤波器WLP封装中腔体抗模压塌陷研究被引量：4
- 2021年
- 通过对声表面波滤波器晶圆级封装结构的探讨,针对在模组封装时器件塌陷成因进行了有限元仿真模型研究,模拟了不同模压量对器件中腔体最大的塌陷量位置。经过实验验证,提出了一种新的金属加强结构,在3 MPa较高模压量时塌陷量几乎为0,解决了声表面波滤波器晶圆级封装芯片灌封压力导致的塌陷问题,降低了器件及模组失效风险,是一种声表面波滤波器晶圆级封装的新技术。
- 唐代华金中司美菊罗旋升谢东峰谢晓
- 关键词：声表面波滤波器晶圆级封装灌封
- 背腔刻蚀型横向激励薄膜体声波谐振器制备技术研究
- 2024年
- 随着移动通信技术的快速发展,薄膜体声波滤波器逐渐向高频和大带宽方向发展。该文研究了POI(LiNbO_(3)/SiO_(2)/Si)基片上背腔刻蚀型横向激励薄膜体声波谐振器制作工艺,通过研究POI基IDT光刻、背腔硅刻蚀等工艺,确定了IDT层曝光量和背腔刻蚀等关键工艺参数。研制出的背腔刻蚀型横向激励薄膜体声波谐振器,其谐振频率为4565 MHz,反谐振频率为5035 MHz,机电耦合系数为20.86%。此制备工艺对研究高频、大带宽薄膜体声波滤波器具有重要的参考意义。
- 徐阳司美菊司美菊刘文怡巩乐乐甄静怡余奇陈金琳
- 关键词：干法刻蚀刻蚀速率机电耦合系数薄膜体声波谐振器
- 一种三维纳米结构声表面波气敏传感器
- 本发明涉及一种三维纳米结构声表面波气敏传感器，包括压电基底，置于该压电基底表面且相互平行的输入叉指电极IDT1和输出叉指电极IDT2以及敏感区，敏感区位于输入叉指电极IDT1和输出叉指电极IDT2之间，敏感区上具有三维纳...
- 王露杨靖马晋毅杜波江洪敏司美菊王登攀祖小涛李志杰唐永亮
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- 一种压电薄膜换能器用WSiAlN薄膜及其制备方法
- 本发明提供一种压电薄膜换能器用WSiAlN薄膜及其制备方法，该压电薄膜换能器用WSiAlN薄膜包括底电极以及位于底电极上的压电薄膜，底电极采用WSi材料制成，压电薄膜采用AlN材料制成。本发明通过采用WSi材料制成底电极...
- 欧黎徐阳江洪敏司美菊姜华男张永川马晋毅龙飞杜波蒋欣金成飞田本朗
