张亚楼
- 作品数：4 被引量：1H指数：1
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：中国科学院“百人计划”国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 半导体器件及其制造方法
- 本发明公开了一种半导体器件，包括衬底、衬底中的源漏延伸区和源漏区、衬底上的栅极堆叠结构、栅极堆叠结构周围的栅极侧墙，其特征在于：源漏延伸区位于栅极侧墙下方，并且栅极侧墙与源漏延伸区之间还具有电阻调节层。本发明还提供了该半...
- 尹海洲张亚楼朱慧珑
- 文献传递
- 硅基不同晶面上的空穴迁移率研究被引量：1
- 2013年
- 近年来,金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的特征尺寸减小并进入纳米尺度,为了改善器件的短沟道效应,器件由原来的平面结构改为立体结构。而在立体结构器件中,沟道由不同于传统Si(100)晶面的Si晶面所组成。因此,为了了解不同Si晶面上器件反型层空穴迁移率的变化情况,在不同晶面Si衬底上分别制作了pMOSFET,并研究了器件的空穴迁移率。采用Split C-V方法测试了Si(100),(110),(111)和(112)晶面上器件的空穴迁移率。结果表明,Si(110)晶面上的空穴迁移率最大,Si(112)晶面上<111>沟道方向空穴迁移率比(110)晶面上空穴迁移率小,而略大于(100)和(111)晶面上的空穴迁移率,(100)晶面上的空穴迁移率最小。
- 张亚楼蒋葳刘云飞许静尹海洲
- 关键词：空穴迁移率晶面
- 半导体器件及其制造方法
- 本发明公开了一种半导体器件，包括衬底、衬底中的源漏延伸区和源漏区、衬底上的栅极堆叠结构、栅极堆叠结构周围的栅极侧墙，其特征在于：源漏延伸区位于栅极侧墙下方，并且栅极侧墙与源漏延伸区之间还具有电阻调节层。本发明还提供了该半...
- 尹海洲张亚楼朱慧珑
- 文献传递
- 半导体器件制造方法
- 本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成非晶态的伪栅极；使用TMAH湿法移除所述伪栅极，以形成栅极开口；在所述栅极开口中形成高k栅介质层和金属栅极层。通过将传统多晶硅的伪栅极替换为非晶态的伪栅极，使得TMA...
- 蒋葳于伟泽张亚楼尹海洲
- 文献传递
